ZHCSU23B October   2023  – May 2026 BQ25638

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电复位 (POR)
      2. 7.3.2  通过电池实现器件上电
      3. 7.3.3  通过输入源实现器件上电
        1. 7.3.3.1 REGN LDO 上电
        2. 7.3.3.2 不良源鉴定
        3. 7.3.3.3 输入电压限制阈值设置（VINDPM 阈值）
        4. 7.3.3.4 转换器上电
        5. 7.3.3.5 输入电流优化器 (ICO)
        6. 7.3.3.6 开关频率和抖动功能
      4. 7.3.4  电源路径管理
        1. 7.3.4.1 窄 VDC 架构
        2. 7.3.4.2 动态电源管理
          1. 7.3.4.2.1 ILIM 引脚上的输入电流限制
        3. 7.3.4.3 高阻抗 (HIZ) 模式
      5. 7.3.5  电池充电管理
        1. 7.3.5.1 自主充电周期
        2. 7.3.5.2 电池充电曲线
        3. 7.3.5.3 充电终止
        4. 7.3.5.4 热敏电阻认证
          1. 7.3.5.4.1 充电模式下的高级温度曲线
          2. 7.3.5.4.2 TS 引脚热敏电阻配置
          3. 7.3.5.4.3 OTG 模式下的冷/热温度窗口
          4. 7.3.5.4.4 JEITA 充电率调节
          5. 7.3.5.4.5 TS_BIAS 引脚
        5. 7.3.5.5 充电安全计时器
      6. 7.3.6  USB On-The-Go (OTG)
        1. 7.3.6.1 升压 OTG 模式
      7. 7.3.7  用于监测的集成 12 位 ADC
      8. 7.3.8  状态输出（INT 、PG 、STAT）
        1. 7.3.8.1 PG 引脚电源正常指示器
        2. 7.3.8.2 充电状态指示灯 (STAT)
        3. 7.3.8.3 主机中断 (INT)
      9. 7.3.9  BATFET 控制
        1. 7.3.9.1 关断模式
        2. 7.3.9.2 超低功耗模式 (ULPM)
        3. 7.3.9.3 系统电源复位
      10. 7.3.10 保护功能
        1. 7.3.10.1 仅电池模式和 HIZ 模式下的电压和电流监测
          1. 7.3.10.1.1 电池过流保护
          2. 7.3.10.1.2 电池欠压锁定
        2. 7.3.10.2 降压模式下的电压和电流监测
          1. 7.3.10.2.1 输入过压
          2. 7.3.10.2.2 系统过压保护 (SYSOVP)
          3. 7.3.10.2.3 正向转换器逐周期电流限制
          4. 7.3.10.2.4 系统短路
          5. 7.3.10.2.5 电池过压保护 (BATOVP)
          6. 7.3.10.2.6 睡眠比较器和不良源比较器
        3. 7.3.10.3 升压模式下的电压和电流监测
          1. 7.3.10.3.1 升压模式过压保护
          2. 7.3.10.3.2 升压模式占空比保护
          3. 7.3.10.3.3 升压模式 PMID 欠压保护
          4. 7.3.10.3.4 升压模式电池欠压
          5. 7.3.10.3.5 升压转换器逐周期电流限制
          6. 7.3.10.3.6 升压模式 SYS 短路
        4. 7.3.10.4 热调节和热关断
          1. 7.3.10.4.1 降压模式下的过热保护
          2. 7.3.10.4.2 升压模式下的过热保护
          3. 7.3.10.4.3 仅电池模式下的过热保护
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 主机模式和默认模式
      2. 7.4.2 复位寄存器位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 串行接口
        1. 7.5.1.1 数据有效性
        2. 7.5.1.2 启动条件和停止条件
        3. 7.5.1.3 字节格式
        4. 7.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 7.5.1.5 目标地址和数据方向位
        6. 7.5.1.6 单独写入和读取
        7. 7.5.1.7 多个写入和多个读取
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 BQ25638 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电感器选型
        2. 9.2.2.2 输入电容器
        3. 9.2.2.3 输出电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 12.1 卷带包装信息
    3. 12.2 机械数据

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YBG|30
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.7 典型特性

CVBUS = 1µF，CPMID = 10µF，CSYS = 20µF，L = 1µH (SRP3212-1R0M21)（除非另有说明）

BQ25638 充电效率与充电电流间的关系
VBAT = 3.8V DCR = 10mΩ (Würth 74437346010)
图 6-1 充电效率与充电电流间的关系
BQ25638 充电效率与充电电流间的关系
VBAT = 3.8V DCR = 19mΩ
图 6-3 充电效率与充电电流间的关系
BQ25638 升压模式效率与 VBUS 负载电流间的关系
VOTG = 5.12V DCR = 19mΩ
图 6-5 升压模式效率与 VBUS 负载电流间的关系
BQ25638 升压模式电压精度与 VOTG I2C 设置间的关系
VBAT = 3.8V
图 6-7 升压模式电压精度与 VOTG I2C 设置间的关系
BQ25638 BAT 稳压电压与温度间的关系
VBUS = 5V
图 6-9 BAT 稳压电压与温度间的关系
BQ25638 输入电压限制与 VINDPM I2C 设置间的关系
VBAT = 3.8V
图 6-11 输入电压限制与 VINDPM I2C 设置间的关系
BQ25638 充电效率与充电电流间的关系
VBUS = 5V DCR = 10mΩ (Würth 74437346010)
图 6-2 充电效率与充电电流间的关系
BQ25638 系统效率与系统电流间的关系
VBAT = 4.2V DCR = 19mΩ
图 6-4 系统效率与系统电流间的关系
BQ25638 充电电流精度与充电电流 I2C 设置间的关系
VBUS = 5V
图 6-6 充电电流精度与充电电流 I2C 设置间的关系
BQ25638 升压模式电流限制精度与 IOTG I2C 设置间的关系
VBAT = 3.8V
图 6-8 升压模式电流限制精度与 IOTG I2C 设置间的关系
BQ25638 输入电流限制与 IINDPM I2C 设置间的关系
VBUS = 5V
图 6-10 输入电流限制与 IINDPM I2C 设置间的关系