ZHCSP09C December   2023  – March 2025 ADS9227 , ADS9228 , ADS9229

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  热性能信息
    4. 6.4  建议运行条件
    5. 6.5  电气特性
    6. 6.6  时序要求
    7. 6.7  开关特性
    8. 6.8  时序图
    9. 6.9  典型特性：所有器件
    10. 6.10 典型特性：ADS9229
    11. 6.11 典型特性：ADS9228
    12. 6.12 典型特性：ADS9227
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  模拟输入
      2. 7.3.2  模拟输入带宽
      3. 7.3.3  ADC 传递函数
      4. 7.3.4  参考
        1. 7.3.4.1 内部基准电压
        2. 7.3.4.2 外部基准电压
      5. 7.3.5  温度传感器
      6. 7.3.6  数据平均
      7. 7.3.7  数字下变频器
      8. 7.3.8  数据接口
        1. 7.3.8.1 数据帧宽度
        2. 7.3.8.2 ADC 输出数据随机数发生器
        3. 7.3.8.3 同步多个 ADC
      9. 7.3.9  数据接口测试图形
        1. 7.3.9.1 固定图形
        2. 7.3.9.2 数字斜坡
        3. 7.3.9.3 交替测试图形
      10. 7.3.10 ADC 采样时钟输入
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 复位
      2. 7.4.2 断电选项
      3. 7.4.3 正常运行
      4. 7.4.4 初始化序列
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 寄存器写入
      2. 7.5.2 寄存器读取
      3. 7.5.3 多个器件：SPI 配置的菊花链拓扑
        1. 7.5.3.1 菊花链中的寄存器写入
        2. 7.5.3.2 菊花链中的寄存器读取
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 寄存器组 0
    2. 8.2 寄存器组 1
    3. 8.3 寄存器组 2
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 ≤20kHz 输入信号带宽的数据采集 (DAQ) 电路
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 ≤100kHz 输入信号带宽的数据采集 (DAQ) 电路
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 应用曲线
      3. 9.2.3 ≤1MHz 输入信号带宽的数据采集 (DAQ) 电路
        1. 9.2.3.1 设计要求
        2. 9.2.3.2 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3 热性能信息

热指标(1) ADS922x 单位
RHA (VQFN)
40 引脚
RθJA 结至环境热阻 25.8 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 13.3 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 7.5 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 0.1 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 7.4 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 1.1 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用手册。