用半导体保险丝替代熔断型保险丝

标准熔断型保险丝会在遇到大电流时熔断，以此中断电流流动。图 4 中显示的 TCC 曲线描述了这种熔断行为。

许多因素都会影响保险丝特性，例如接触电阻、空气温度和电流瞬变。由于这些因素，系统设计人员会根据标称工作电流、工作温度范围、浪涌电流和电流瞬态形状来降低保险丝的标称熔点 I²t（安培平方秒）额定值。例如，将保险丝的额定电流降低 25% 可防止保险丝出现干扰性熔断。

选择基于保险丝的降额电流意味着线束中的电流会根据保险丝的温度条件而变化。线束设计人员可能必须选择不太理想的线束测量仪表，以便在特定温度条件下传递保险丝允许的更高电流。

进一步优化线束的一种方法是使用具有 I²t 特性的半导体高侧开关集成电路 (IC)。典型的高侧开关具有过流保护功能；也就是说，当电流超过特定阈值时，高侧开关会钳制电流或自行打开，从而保护下游线束和负载。通过向高侧开关添加 I²t 特性，开关会根据流经的电流（更具体地说是电流的平方）在不同的时间打开。使用基于 I²t 的半导体高侧开关可减少保险丝特性的变化，从而实现更优化的线束测量仪表，这有助于进一步减轻线束的重量。