按照以下说明评估 TPS25990EVM 的热性能：

1. 过流保护和有源电流共享的基准电压默认为 1V。如果需要 0.3V 至 1.2V 范围内的另一个基准电压，也可以使用 VIREF (E0h) 寄存器通过 PMBus 对基准电压进行编程。在本实验中，VIREF 被编程为 1.13V。
2. 根据表 4-3 将跳线 J6 放置在合适的位置以设置所需的断路器阈值 (I_OCP)。本实验选择跳线 J6 的“3-4”位置，使 I_OCP 为 124A。
3. 将输入电源电压 VIN 设置为 12V，将电流限制设置为 130 A。
4. 在 VIN（连接器 T1）和 PGND（连接器 T3）之间连接电源并启用电源。
5. 现在在 VOUT（连接器 T2）和 PGND（连接器 T3）之间施加 110 A（直流）负载半小时或更长时间，以达到热平衡点。
6. 使用数字万用表捕获 EVM 的热像图或监测 TEMP (TP10) 引脚的电压。TEMP (V_TEMP) 引脚上的电压报告 TPS25990 和 TPS25985 之间的最高芯片温度，可使用方程式 1 获得。
   方程式 1. $T_J\left(°C\right)=\left[25+\left\{\frac{V_{TEMP}\left(mV\right)-677.6}{2.72 \left(mV/°C\right)}\right\}\right]$

图 5-18 显示了包含一 (1) 个 TPS25990 电子保险丝和一 (1) 个 TPS25985 电子保险丝（两者并联）的 TPS25990EVM 的热性能。