确定布局的关键部分后，下一项任务是尽可能地减少任何噪声源和不必要的寄生。输入开关电流环路和输出开关电流环路是主要的高电流环路。尽可能地减小这些环路的面积，以抑制产生的开关噪声并优化开关性能。因此，强烈建议将功率元件放置在同一层。此外，还要留出足够的铜面积来散热。多个散热过孔可用于将更多铜层连接在一起并散发更多热量。图 2-4 展示了顶层的功率元件放置，这是 BQ25710 EVM 的一个典型示例，与图 1-1 中所示的原理图匹配。

图 2-4 顶层的功率元件放置

VBUS 电容器、R_AC、Q1 和 Q2 构成一个小环路 1。VSYS 电容器 Q3 和 Q4 构成一个小环路 2。如图 2-1 所示，要在环路 1 和环路 2 上尽可能缩小的重要环路区域是以下两个路径：一个路径从输入电容器到降压高侧和低侧 MOSFET，再返回到输入电容器的接地连接；另一个路径从输出电容器到升压高侧和低侧 MOSFET，再返回到输出电容器的接地连接。将电容器的负极端子连接到低侧 MOSFET（接地端）的源极附近。同样，将一个或多个电容器的正极端子连接到两个环路高侧 MOSFET 的漏极附近。需要特别注意，必须将 10nF + 1nF（0402 尺寸）去耦电容器放置在 R_AC 后，并尽可能靠近 FET，以便对开关环路高频噪声去耦。

使用大面积的铜连接功率元件可减少寄生电阻。由于从 VBUS 到 VSYS 和 VBAT 到 VSYS 的电流路径阻抗较低，请注意不在同一层时的过孔电阻。对于 1oz 铜厚度的 10mil 过孔，过孔数量可估算出每个过孔 1A 至 2A。如果需要高密度设计，您可以将 CBUS 或 CSYS 的一部分移至 PCB 的另一侧。最后，我们建议将 QBAT 和 R_SR 放置在电池端子附近，因为该器件会通过电池端子附近的 SRN 引脚检测电池电压。