将 REGN 电容器 (C30)、VBUS 电容器 (C25)、VDDA 电容器 (C29) 靠近 IC 放置，如图 2-6 所示。对 VBUS、VDDA 电容器使用 AGND，并对 REGN 电容器使用 PGND，因为 REGN 引脚分配适用于功率级栅极驱动。由于 REGN 电容器为 BQ25710 中的驱动器电路提供低阻抗路径，因此将 REGN 电容器靠近 IC 放置，以便保持超低阻抗源，从而实现 IC FET 驱动器所需的快速 di/dt。

将高侧 FET 自举电路电容器放置在靠近 IC 的位置并位于 PCB 的同一层上。如图 2-7 所示，建议 SW1/2 节点上的电容器使用宽铜多边形连接到功率级，建议 BTST1/2 节点上的电容器使用至少 8mil 的布线连接到 BTST1/2 引脚，以便降低线路寄生电感。信号引脚的另一个 R/C 必须放置在靠近 IC 的位置，并远离高频噪声。在 R/C 附近增加接地过孔，以便将信号的接地连接至接地平面。