产品详细信息

Integrated isolated power No Number of channels (#) 1 Forward/reverse channels 1 forward / 0 reverse Isolation rating (Vrms) 5000, 3000 Data rate (Max) (Mbps) 100 Rating Catalog Surge voltage capability (Vpk) 12800, 8000 Current consumption per channel (DC) (Typ) (mA) 1.1 Current consumption per channel (1 Mbps) (Typ) (mA) 1.7 Operating temperature range (C) -55 to 125 Default output High, Low Supply voltage (Max) (V) 5.5 Supply voltage (Min) (V) 2.25 Propagation delay (Typ) (ns) 10.7
Integrated isolated power No Number of channels (#) 1 Forward/reverse channels 1 forward / 0 reverse Isolation rating (Vrms) 5000, 3000 Data rate (Max) (Mbps) 100 Rating Catalog Surge voltage capability (Vpk) 12800, 8000 Current consumption per channel (DC) (Typ) (mA) 1.1 Current consumption per channel (1 Mbps) (Typ) (mA) 1.7 Operating temperature range (C) -55 to 125 Default output High, Low Supply voltage (Max) (V) 5.5 Supply voltage (Min) (V) 2.25 Propagation delay (Typ) (ns) 10.7
SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5
  • 信号传输速率:高达 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平低电平选项
  • 宽温度范围:–55°C 至 125°C
  • 低功耗,
    1Mbps 时的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟:典型值为 11ns
    (由 5V 电源供电)
  • 高共模瞬态抗扰度 (CMTI):±100kV/µs(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级静电放电 (ESD)、瞬态放电 (EFT) 以及抗浪涌保护
    • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 40 年
  • 宽体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (DW-16) 和窄体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D-8) 封装选项
  • 安全及管理批准:
    • VDE 增强型隔离,符合 DIN V VDE
      V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准
    • UL 1577 组件认证计划
    • CSA 组件验收通知
      5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
    • 符合 EN 60950-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证
    • 完成 DW-16 封装的 VDE、UL、CSA 和 TUV 认证;已规划其他所有认证
  • 信号传输速率:高达 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平低电平选项
  • 宽温度范围:–55°C 至 125°C
  • 低功耗,
    1Mbps 时的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟:典型值为 11ns
    (由 5V 电源供电)
  • 高共模瞬态抗扰度 (CMTI):±100kV/µs(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级静电放电 (ESD)、瞬态放电 (EFT) 以及抗浪涌保护
    • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 40 年
  • 宽体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (DW-16) 和窄体小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D-8) 封装选项
  • 安全及管理批准:
    • VDE 增强型隔离,符合 DIN V VDE
      V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准
    • UL 1577 组件认证计划
    • CSA 组件验收通知
      5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
    • 符合 EN 60950-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证
    • 完成 DW-16 封装的 VDE、UL、CSA 和 TUV 认证;已规划其他所有认证

ISO7710 器件是一款高性能单通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DW 封装)和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值。此器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,ISO7710 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。隔离通道具有逻辑输入和输出缓冲器,二者通过二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见

与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO7710 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO7710 器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

ISO7710 器件是一款高性能单通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS(DW 封装)和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值。此器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,ISO7710 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。隔离通道具有逻辑输入和输出缓冲器,二者通过二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见

与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO7710 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO7710 器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

DIGI-ISO-EVM — Universal digital isolator evaluation module

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块,用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚 NB SOIC (D)、8 引脚 WB SOIC (DWV)、16 引脚 WB SOIC (DW)、16 引脚 Ultra WB SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

TI.com 無法提供
评估板

ISO7721DEVM — EMC 性能优异的 D 封装 ISO7721 高速双通道数字隔离器评估模块

ISO7721DEVM 是一款用于评估采用 8 引脚窄体 SOIC 封装(封装代码 - D)的高性能增强型双通道数字隔离器 ISO7721 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
TI.com 無法提供
评估板

ISO7741EVM — EMC 性能优异的 ISO7741 高速四通道数字隔离器评估模块

ISO7741EVM 是一款用于评估采用宽体 SOIC 封装(封装代码 - DW)的高性能增强型四通道数字隔离器 ISO7741 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
TI.com 無法提供
评估板

UCC28782EVM-030 — UCC28782 active clamp flyback converter 65-W USB-C PD EVM with ISO7710FD

UCC28782EVM-030 采用了 UCC28782 有源钳位反激式控制器,具有高效率和高密度等特性,可适用于 65W USB Type-C™ 电力输送 (PD) 离线适配器。该输入支持 90Vac 至 264Vac 通用电压范围,电流最大值为 3A 时,单输出可设置为 5V、9V 和 15V,最大值为 3.25A 时,可设置为 20V,此设置可通过 USB PD 接口控制器进行调整。250kHz 标称的高频操作实现了小解决方案尺寸,而多模式操作保持了高效率。使用 UCC28782 和 ISO7710FD 器件驱动 GaN MOSFET。在输出端使用同步整流技术,以提高效率。
仿真模型

ISO7710 IBIS Model

SLLM331.ZIP (52 KB) - IBIS Model
仿真模型

ISO7710 PSpice Transient Model

SLLM482.ZIP (150 KB) - PSpice Model
参考设计

PMP23069 — 功率密度大于 180W/in³ 的 3.6kW 单相图腾柱无桥 PFC 设计

此参考设计是一款基于 GaN 的 3.6kW 单相持续导通模式 (CCM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器,旨在实现更高的功率密度。此功率级之后是一个小型升压转换器,这有助于缩小大容量电容器的尺寸。LMG3522 采用 GaN 功率级顶部冷却封装,具有集成驱动器和保护功能,可实现更高的效率、缩小低电源尺寸和降低复杂性。F28004x 或 F28002x C2000™ 控制器可用于所有高级控制,包括快速继电器控制、交流压降事件期间的小幅升压运行、反向电流流动保护以及 PFC 和通用控制器之间的通信。PFC 在 65kHz 的开关频率下运行,可实现 98.7% 的峰值效率。
参考设计

PMP40974 — 使用有源钳位反激式控制器的高功率密度 65W USB Type-C® 充电器参考设计

此参考设计是一款采用 UCC28782 有源钳位反激式控制器的 65W 高功率密度 USB 充电器,可实现 30W/in 的功率密度。在通用交流输入范围内,20V VOUT 时的最大额定功率为 65W。VOUT 也可以调节至 20V、15V、9V 和 5V 输出电压和 3A。此设计的峰值效率达到 94%。平均效率和待机功率水平均设计为符合 DoE VI 级和 CoC 2 级限制。
参考设计

TIDA-01622 — 功率密度为 30W/in3、效率高达 94% 的 65W USB Type-C PD 交流/直流适配器参考设计

This fully tested, USB power delivery reference design is a high efficiency, high power density, AC/DC adapter solution with a wide input voltage range (85 - 265VAC) for laptop adapters and smartphone charger applications. It adopts active-clamp-flyback topology controlled by TI’s newest ACF (...)
参考设计

TIDA-01623 — 功率密度为 30W/in3、效率高达 93.4% 的 100W 交流/直流适配器参考设计

这一经过全面测试的输参考设计是一款高效、高功率密度的交流/直流适配器解决方案,具有宽输入电压范围(100V 至 240V 交流电),适用于笔记本电脑适配器和智能手机充电器应用。此设计包括基于 UCC28056 的前端转换模式 (TM) 功率因数校正 (PFC) 电路,后跟基于 UCC28780、用于隔离式直流/直流转换的有源钳位反激式转换器。
封装 引脚数 下载
SOIC (D) 8 了解详情
SOIC (DW) 16 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频