LMG3425EVM-043

具有理想二极管模式的 LMG3425R030 600V 30mΩ 半桥子卡

LMG3425EVM-043

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概述

LMG3425EVM-043 可将两个 LMG3425R030 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。  该 EVM 需要与大型系统配合使用。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG342XR0XX 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单路/双路板载 PWM 输入(具有可变死区时间)
  • 逐周期过流保护功能
  • 用于使用示波器探针(具有短接地弹簧探针)进行逻辑和功率级测量的便利探测点
氮化镓 (GaN) IC
LMG3425R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET
Important note

LMG3425EVM-043 is a prototype evaluation module and is available in limited quantities.

开始使用

  • 订购适用于 LMG342x 系列的 LMG3425R030 600V 30mΩ 半桥子卡(具有理想二极管模式)和可选的 LMG342x GaN 系统级评估主板
  • 阅读LMG342XEVM-04X 用户指南

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硬件和软件包

Evaluating LMG3425R030 GaN FET power stage

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LMG3425EVM-043 – LMG3425R030 600-V 30-mΩ with ideal diode mode half-bridge daughter card

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 用户指南 Using the LMG342XEVM-04X Half-Bridge EVM 2020年 10月 26日
数据表 LMG342xR030 600-V 30-mΩ GaN FET with Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting 数据表 (Rev. B) 2021年 3月 16日
证书 LMG3425EVM-043 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 10月 26日

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