TPS51206

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具有用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲基准的 2A 峰值灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

产品详情

Product type DDR Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 3.5 Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 0.9 Features S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 105 Iq (typ) (mA) 0.17 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Product type DDR Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 3.5 Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 0.9 Features S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 105 Iq (typ) (mA) 0.17 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
WSON (DSQ) 10 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • 电源输入电压:支持 3.3V 和 5V 电源轨
  • VLDOIN 输入电压范围:VTT+0.4V 至 3.5V
  • VTT 端接稳压器
    • 输出电压范围:0.5V 至 0.9V
    • 2A 峰值灌电流和拉电流
    • 仅需 10µF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容
    • ±20mV 精度
  • VTTREF 缓冲参考输出
    • VDDQ/2 ± 1% 精度
    • 10mA 灌/拉电流
  • 支持高阻态(S3 状态)和软停止(S4 和 S5 状态),通过 S3 和 S5 输入选择
  • 过热保护
  • 10 引脚 2mm × 2mm 小外形尺寸无引线 (SON) (DSQ) 封装
  • 电源输入电压:支持 3.3V 和 5V 电源轨
  • VLDOIN 输入电压范围:VTT+0.4V 至 3.5V
  • VTT 端接稳压器
    • 输出电压范围:0.5V 至 0.9V
    • 2A 峰值灌电流和拉电流
    • 仅需 10µF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容
    • ±20mV 精度
  • VTTREF 缓冲参考输出
    • VDDQ/2 ± 1% 精度
    • 10mA 灌/拉电流
  • 支持高阻态(S3 状态)和软停止(S4 和 S5 状态),通过 S3 和 S5 输入选择
  • 过热保护
  • 10 引脚 2mm × 2mm 小外形尺寸无引线 (SON) (DSQ) 封装

TPS51206 器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部组件数的空间受限型系统而设计。该器件可保持快速的瞬态响应,并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。该器件支持遥感功能,并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态,在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态(挂起到 RAM);在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电(挂起到磁盘)。

TPS51206 器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。

TPS51206 器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部组件数的空间受限型系统而设计。该器件可保持快速的瞬态响应,并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。该器件支持遥感功能,并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态,在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态(挂起到 RAM);在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电(挂起到磁盘)。

TPS51206 器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。

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设计与开发

电源解决方案

了解包含 TPS51206 的解决方案。TI 提供适用于 TI 和非 TI 片上系统 (SoC)、处理器、微控制器、传感器和现场可编程门阵列 (FPGA) 的电源解决方案。

评估板

TPS51206EVM-745 — 具有 VTTREF 缓冲基准的 2A 峰值灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

TPS51206EVM-745 评估模块(EVM)采用了 TPS51206 器件。TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限型系统而设计。TPS51206EVM-745 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压,该存储器涵盖 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 规格,并具有超少的外部元件。

用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

TPS51206 PSpice Transient Model

SLUM198.ZIP (56 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TPS51206 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM249.TSC (142 KB) - TINA-TI 参考设计
支持的产品和硬件
仿真模型

TPS51206 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM248.ZIP (42 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
参考设计

PMP21065 — 适用于机顶盒的超低待机功耗、高效率的直流-直流电源参考设计

PMP21065 参考设计通过典型的 12V 直流输入产生当今机顶盒中常见的电源轨。此设计的主要目标是实现低成本、小尺寸、低待机功耗以及高效率,从而帮助客户满足有关 STB 功耗的新监管准则。

支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-010011 — 适用于保护继电器处理器模块的高效电源架构参考设计

该参考设计展示了各种电源架构,这些架构可为需要 >1A 负载电流和高效率的应用处理器模块生成多个电压轨。所需的电源通过来自背板的 5V、12V 或 24V 直流输入生成。电源通过带集成 FET 的直流/直流转换器生成并且使用带集成电感器的电源模块以减小尺寸。此设计采用 HotRod™ 封装类型,适用于需要低 EMI 的应用,也非常适合设计时间受限的应用。其他功能包括 DDR 端接稳压器、输入电源 OR-ing、电压时序控制、过载保护电子保险丝以及电压和负载电流监控。该设计可以用于处理器、数字信号处理器和现场可编程门阵列。该设计已依照 CISPR22 标准针对辐射发射进行了测试,符合 A (...)
支持的产品和硬件
参考设计

TIPA-050005 — 适用于 PC 应用中 Tiger Lake 的非隔离式负载点解决方案

先进的处理器和平台(例如 Intel® Tiger Lake 微架构)需要使用负载点 (POL) 解决方案,为一组可充电电池或 12V 输入总线提供所需的内存、低功耗 CPU 电源轨以及 3.3V 和 5V 电源轨。

 

本文档旨在重点介绍新款直流/直流转换器,并说明其满足 PC 应用中 Tiger Lake 一般电源要求的特性。

支持的产品和硬件
参考设计

TIPA-050016 — 适用于工业 PC 应用中 Elkhart Lake 的非隔离式负载点解决方案

先进的处理器和平台(例如 Intel® Elkhart Lake 微架构)需要使用负载点 (POL) 解决方案,为一组可充电电池或 12V 输入总线提供所需的内存、低功耗 CPU 电源轨以及 3.3V 和 5V 电源轨。

此电源设计的亮点是最新的直流/直流转换器,可提供高性能电源管理解决方案,从而延长电池寿命,同时满足工业 PC 应用中的 Elkhart Lake 平台电源要求。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WSON (DSQ) 10 Ultra Librarian

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推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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