TPS51206EVM-745

具有 VTTREF 缓冲参考电压的 2A 峰值吸入/输出 DDR 终止稳压器

TPS51206EVM-745

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概述

TPS51206EVM-745 评估模块 (EVM) 使用 TPS51206。TPS51206 是具有VTTREF 缓冲参数输出的输出/吸入双倍数据速率 (DDR) 终止稳压器。专门设计用于低输入电压、低成本、少外部组件数的(空间是主要考虑因素)的系统。TPS51206EVM-745 设计用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器(包括 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 等规格)提供 10-mA 缓冲参考电压。

特性
  • VDD 电压:支持 5V 电压轨 3.3V 电压轨
  • VLDOIN、VDDQ 电压范围:1.2 V–1.8 V
  • 具有吸入和输出功能的内置板载瞬态负载可模拟吸入/输出瞬态行为,帮助评估动态性能。为了方面使用,瞬态载荷级和定时都能通过板载电阻修改。
  • 开关 S1、S2,用于S3 和 S5 启用功能
  • 用于探测 VTT、VTTREF、CLK_IN 和环路响应测试的便捷的测试点
  • 四层、印制电路板 (PCB),所有组件都位于底部
DDR 存储器电源 IC
TPS51206 具有用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 缓冲基准的 2A 峰值灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

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TPS51206EVM-745 — 具有 VTTREF 缓冲参考电压的 2A 峰值吸入/输出 DDR 终止稳压器

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 用户指南 TPS51206EVM-745 User's Guide 2011年 8月 5日
数据表 适用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 且具有 VTTREF 缓冲基准的 TPS51206 2A 峰值灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. E) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.E) PDF | HTML 2019年 1月 23日
证书 TPS51206EVM-745 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日

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