TPS51206EVM-745
具有 VTTREF 缓冲基准的 2A 峰值灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器
TPS51206EVM-745
概述
TPS51206EVM-745 评估模块（EVM）采用了 TPS51206 器件。TPS51206 是一款具有 VTTREF 缓冲参考输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限型系统而设计。TPS51206EVM-745 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压，该存储器涵盖 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 规格，并具有超少的外部元件。
特性
- VDD 电压：支持 5V 和 3.3V 电压轨
- VLDOIN、VDDQ 电压范围：1.2V 至 1.8V
- 内置板载瞬态负载（具有灌入和拉出能力）用于仿真瞬态灌入/拉出行为，有助于评估动态性能。为了方便使用，负载阶跃和瞬态时序都可以通过板载电阻器进行修改。
- 开关 S1、S2 可实现 S3 和 S5 使能功能
- 用于探测 VTT、VTTREF、CLK_IN 和环路响应测试的便捷测试点
- 四层印刷电路板 (PCB)，所有元件都位于底部
多通道 IC (PMIC)
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评估板
TPS51206EVM-745 — 具有 VTTREF 缓冲参考电压的 2A 峰值吸入/输出 DDR 终止稳压器
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
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| * | 用户指南 | TPS51206EVM-745 User's Guide | 2011年 8月 5日 | |||
| 数据表 | 适用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 且具有 VTTREF 缓冲基准的 TPS51206 2A 峰值灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. E) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.E) | PDF | HTML | 2019年 1月 23日 | |
| 证书 | TPS51206EVM-745 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019年 1月 2日 |