TPS51206EVM-745
具有 VTTREF 缓冲参考电压的 2A 峰值吸入/输出 DDR 终止稳压器
TPS51206EVM-745
概述
TPS51206EVM-745 评估模块 (EVM) 使用 TPS51206。TPS51206 是具有VTTREF 缓冲参数输出的输出/吸入双倍数据速率 (DDR) 终止稳压器。专门设计用于低输入电压、低成本、少外部组件数的（空间是主要考虑因素）的系统。TPS51206EVM-745 设计用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器（包括 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 等规格）提供 10-mA 缓冲参考电压。
特性
- VDD 电压：支持 5V 电压轨 3.3V 电压轨
- VLDOIN、VDDQ 电压范围：1.2 V–1.8 V
- 具有吸入和输出功能的内置板载瞬态负载可模拟吸入/输出瞬态行为，帮助评估动态性能。为了方面使用，瞬态载荷级和定时都能通过板载电阻修改。
- 开关 S1、S2，用于S3 和 S5 启用功能
- 用于探测 VTT、VTTREF、CLK_IN 和环路响应测试的便捷的测试点
- 四层、印制电路板 (PCB)，所有组件都位于底部
DDR 存储器电源 IC
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评估板
TPS51206EVM-745 — 具有 VTTREF 缓冲参考电压的 2A 峰值吸入/输出 DDR 终止稳压器
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
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| * | 用户指南 | TPS51206EVM-745 User's Guide | 2011年 8月 5日 | |||
| 数据表 | 适用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 且具有 VTTREF 缓冲基准的 TPS51206 2A 峰值灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. E) | PDF | HTML | 下载英文版本 (Rev.E) | PDF | HTML | 2019年 1月 23日 | |
| 证书 | TPS51206EVM-745 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019年 1月 2日 |