LM74910-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 提供功能安全
- 输入电压范围:3V 至 65V
- LM74910H-Q1 具有的 74V 绝对最大额定值
- 反向输入保护低至 –65V
- 在共漏极配置下,可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 在 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
- 低反向检测阈值 (-10.5mV),具有快速关断响应 (0.5µs)
- 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 可调过流和短路保护
- LM74910H-Q1 的模拟电流监测器输出具有 2% 的精度
- 可调节过压和欠压保护
- LM74910H-Q1 中的睡眠模式 OCP 重试
- 2.5µA 低关断电流(EN = 低电平)
- 睡眠模式,电流为 6µA(EN = 高电平,SLEEP = 低电平)
- 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受低至 –65V 的负电源电压并保护负载免受这些电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开(开/关控制)。该器件具有集成电流检测放大器,可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式,可实现超低静态电流消耗 (6µA),同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。
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技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
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| * | 数据表 | LM749x0-Q1 具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2025-10-14 |
| 功能安全信息 | LM749x0-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. A) | PDF | HTML | 2026-3-30 | |||
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设计与开发
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LM74900-Q1 评估模块可评估 LM74900-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示了 LM74900-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET,以仿真具有电源路径开/关控制功能以及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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订购和质量
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