主页 电源管理 电源保护开关与控制器 理想二极管 ORing 控制器

LM74910-Q1

正在供货

具有断路器、200kHz ACS 以及欠压和过压保护功能的汽车类理想二极管

产品详情

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection Iq (typ) (mA) 0.63 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00287 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection Iq (typ) (mA) 0.63 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (µA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00287 Product type Ideal diode controller
VQFN (RGE) 24 16 mm² (4 mm × 4 mm)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 提供功能安全
  • 输入电压范围:3V 至 65V
  • LM74910H-Q1 具有的 74V 绝对最大额定值
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极配置下,可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 在 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV),具有快速关断响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调过流和短路保护
  • LM74910H-Q1 的模拟电流监测器输出具有 2% 的精度
  • 可调节过压和欠压保护
  • LM74910H-Q1 中的睡眠模式 OCP 重试
  • 2.5µA 低关断电流(EN = 低电平)
  • 睡眠模式,电流为 6µA(EN = 高电平,SLEEP = 低电平)
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 提供功能安全
  • 输入电压范围:3V 至 65V
  • LM74910H-Q1 具有的 74V 绝对最大额定值
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极配置下,可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 在 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (-10.5mV),具有快速关断响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调过流和短路保护
  • LM74910H-Q1 的模拟电流监测器输出具有 2% 的精度
  • 可调节过压和欠压保护
  • LM74910H-Q1 中的睡眠模式 OCP 重试
  • 2.5µA 低关断电流(EN = 低电平)
  • 睡眠模式,电流为 6µA(EN = 高电平,SLEEP = 低电平)
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装

LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受低至 –65V 的负电源电压并保护负载免受这些电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开(开/关控制)。该器件具有集成电流检测放大器,可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式,可实现超低静态电流消耗 (6µA),同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。

LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受低至 –65V 的负电源电压并保护负载免受这些电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开(开/关控制)。该器件具有集成电流检测放大器,可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式,可实现超低静态电流消耗 (6µA),同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。

下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
LM74900-Q1 正在供货 具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管 Ideal diode controller with 100-kHz active rectification (ACS) and circuit breaker functionality

技术文档

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

LM74900Q1EVM — LM74900-Q1 理想二极管控制器评估模块

LM74900-Q1 评估模块可评估 LM74900-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护应用中的运行情况和性能。此评估模块演示了 LM74900-Q1 如何控制两个背对背 N 沟道功率 MOSFET,以仿真具有电源路径开/关控制功能以及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

LM74910-Q1 PSpice Transient Model

SNOM778.ZIP (114 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

LM74910H PSPICE Model

SNOM817.ZIP (116 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

LM749X0-CALC — Design calculator for LM74900-Q1 and LM74910-Q1 devices

The design calculator allows user to size the external peripheral components while designing with LM74900-Q1 and LM74910-Q1 Devices
支持的产品和硬件
参考设计

PMP23227 — 适用于 AMD Versal™ 边缘 AI 系列的电力输送参考设计

本参考设计展示了如何通过 TI 稳压器 IC 为 VE2302 器件所需的电源轨供电,并遵循 AMD 的最少电源轨整合方案。如需了解所有可用的电源整合选项,请参阅 AMD 的电源设计管理器 (PDM) 工具。在估算任何应用的功耗时,请使用 PDM。本参考设计使用示例功耗估算。此外,还可以本设计为基础,为 AI 边缘系列的其他器件设计电源树。该系统原始电源的输入电压通常为 8V 至 18V 并且能够提供约 50W 功率。

支持的产品和硬件
参考设计

TIPA-020007 — 适用于 AMD® Versal™ AI Edge 系列第二代的电源概念验证设计

本概念验证设计展示了如何通过 TI 稳压器集成电路 (IC) 为 2VE3858 器件所需的电源轨供电。此设计方法符合 AMD®标准,可更大限度地减少整合的电源轨。如需了解所有可用的电源整合选项,请参阅 AMD 电源设计管理器 (PDM) 工具页面。对于任何应用,请使用在估算功耗时实现的 PDM。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RGE) 24 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供,并不构成 TI 规范。请参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频