CSD85302L
- 共漏极配置
- 低导通电阻
- 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 标准
- 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV
应用
- USB Type-C/PD
- 电池管理
- 电池保护
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这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
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设计与开发
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支持软件
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YME) | 4 | Ultra Librarian |
订购和质量
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