CSD85301Q2
- 低导通电阻
- 两个独立的 MOSFET
- 节省空间的 SON 2mm × 2mm 塑料封装
- 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
- 具有雪崩能力
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 沟道器件，具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。这两个 FET 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。此外，该器件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。两个 FET 的漏源导通电阻均不高，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。
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技术文档
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设计与开发
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TIDA-00679 — 适用于汽车照明应用的线性 LED 驱动器参考设计
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有关由降压转换器驱动的 TPS92630-Q1 的类似设计，请参阅 TIDA-00677。
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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