CSD75207W15

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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双通道共源极、27mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 0.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 0.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.9 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² (— mm × — mm)
  • 双路 P 通道 MOSFET
  • 共源配置
  • 小型封装尺寸 1.5mm x 1.5mm
  • 栅极 - 源电压钳位
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护大于 4kV
    • 人体模型 (HBM) JEDEC 标准 JESD22-A114
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护
  • 负载和输入开关

  • 双路 P 通道 MOSFET
  • 共源配置
  • 小型封装尺寸 1.5mm x 1.5mm
  • 栅极 - 源电压钳位
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护大于 4kV
    • 人体模型 (HBM) JEDEC 标准 JESD22-A114
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护
  • 负载和输入开关

CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。 此器件也已经被授予美国专利 7952145,7420247,7235845 和 6600182。

CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。 此器件也已经被授予美国专利 7952145,7420247,7235845 和 6600182。

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设计与开发

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参考设计

TIDA-00100 — 适用于低功耗蓝牙 (BLE) 信标子系统的室内光能量采集参考设计

适用于低功耗蓝牙 (BLE) 信标子系统的室内光能量采集参考设计提供了一种解决方案,仅利用零售环境中典型的室内照明功率(超过 250 LUX),低功耗蓝牙芯片可以广播 BLE 信标。

该子系统参考设计与现有的解决方案相比非常与众不同,因其无需电池,从而消除了更换电池、充电的麻烦,并节省了与电池维护相关的成本。  此解决方案还可确保只要提供典型的室内照明,安装不受限制。  此外,该方案无需开/关开关;整个负载的连接与断开均由电源管理 IC 处理,从而确保解决方案具备自管理能力。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
DSBGA (YZF) 9 Ultra Librarian

订购和质量

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支持和培训

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