CSD25501F3
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 0.7mm × 0.6mm
- 薄型封装
- 最大厚度为 0.22mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
此 –20V、64mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够更大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。
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| 设计指南 | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016-7-7 |
设计与开发
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支持软件
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计
TIDA-010070 — 适用于低压伺服驱动器、具有保护功能的直流总线输入电源和控制电源参考设计
此参考设计通过 ORing 控制器 LM5050-1 提供反极性和反向电流保护。同时，LM5069 热插拔控制器用于提供过流、过压、欠压保护和浪涌电流限制。该设计还包含适用于栅极驱动器、编码器和 MCU 电路等控制类电子装置的电源轨。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJN) | 3 | Ultra Librarian |
订购和质量
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