CSD25484F4
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低阈值电压
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄型封装
- 厚度为 0.2mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
该 80mΩ、-20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
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技术文档
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | CSD25484F4 -20V P 沟道 FemtoFET MOSFET 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022-4-12 |
| 应用手册 | MOSFET 支持和培训工具 (Rev. G) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.G) | PDF | HTML | 2025-11-18 | |
| 应用简报 | 估算功率 MOSFET 的漏电流 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2025-11-7 | |
| 应用手册 | 半导体和 IC 封装热指标 (Rev. D) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2024-4-24 | |
| 应用手册 | 在设计中使用 MOSFET 瞬态热阻抗曲线 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-12-19 | |
| 应用手册 | 解决芯片级功率 MOSFET 的组装问题 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-12-6 | |
| 应用简报 | 成功并联功率 MOSFET 的技巧 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-12-6 | |
| 应用手册 | 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-3-15 | |
| 设计指南 | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016-7-7 | ||||
| 技术文章 | A power MOSFET that boldly goes where no one has gone before | PDF | HTML | 2015-9-24 |
设计与开发
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评估板
CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块
此 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道器件型号。 子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。 六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。
用户指南:
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支持软件
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJJ) | 3 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。