CSD25213W10
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 小尺寸封装 1mm x 1mm
- 低高度(高度为 0.62mm)
- 无铅
- 栅 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上,RθJA=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。技术文档
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
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设计与开发
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支持软件
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| DSBGA (YZB) | 4 | Ultra Librarian |
订购和质量
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