CSD25202W15

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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 26 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 32 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 5.8 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 4 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 26 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 32 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 5.8 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 4 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² (— mm × — mm)
  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位

应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位

应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护

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这款 21mΩ,20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

这款 21mΩ,20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

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技术文档

设计与开发

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支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD25202W15 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM130B.ZIP (4 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
DSBGA (YZF) 9 Ultra Librarian

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