CSD22205L

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采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15 VGSTH typ (typ) (V) -0.7 QG (typ) (nC) 6.5 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.4 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 15 VGSTH typ (typ) (V) -0.7 QG (typ) (nC) 6.5 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.4 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YMG) 4 1.3456 mm² (1.16 mm × 1.16 mm)
  • 低电阻
  • 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装
  • 0.36mm 厚,超薄型
  • 无铅
  • 栅源电压钳位
  • 栅极 ESD 保护
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • 低电阻
  • 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装
  • 0.36mm 厚,超薄型
  • 无铅
  • 栅源电压钳位
  • 栅极 ESD 保护
  • 符合 RoHS
  • 无卤素

这款 -8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供更低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板(而非焊球)的器件芯片级封装。

这款 -8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供更低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板(而非焊球)的器件芯片级封装。

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* 数据表 CSD22205L –8V P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022-4-14
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设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016-7-7

设计与开发

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支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD22205L Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM298A.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YMG) 4 Ultra Librarian

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