CSD17578Q5A

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 6.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.3 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 7.9 QGD (typ) (nC) 2 QGS (typ) (nC) 3.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 59 ID - package limited (A) 25 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 6.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.3 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 7.9 QGD (typ) (nC) 2 QGS (typ) (nC) 3.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 59 ID - package limited (A) 25 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 用于网络互联,电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 用于网络互联,电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

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这款 30V,5.9mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

这款 30V,5.9mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

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技术文档

设计与开发

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支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSONP (DQJ) 8 Ultra Librarian

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