CSD16325Q5

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
CSD17573Q5B 正在供货 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

产品详情

VDS (V) 25 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.2 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 18 QGD (typ) (nC) 3.5 QGS (typ) (nC) 6.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 33 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 25 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 2.2 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 18 QGD (typ) (nC) 3.5 QGS (typ) (nC) 6.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 33 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DQH) 8 30 mm² (6 mm × 5 mm)
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 超低 Q g和 Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 5mm × 6mm SON 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 超低 Q g和 Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 5mm × 6mm SON 塑料封装

NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度地减少功率转换应用中的损耗,并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。

NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度地减少功率转换应用中的损耗,并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。

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* 数据表 N 通道 NexFet 功率 MOSFET 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2023-10-24
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. G) PDF | HTML 英语版 (Rev.G) PDF | HTML 2025-11-18
应用简报 估算功率 MOSFET 的漏电流 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025-11-7
应用手册 在选择功率 MOSFET 和使用功率 MOSFET 进行设计时避免常 见错误 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024-11-7
应用手册 半导体和 IC 封装热指标 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2024-4-24
应用手册 QFN 和 SON PCB 连接 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2024-1-5
应用手册 在设计中使用 MOSFET 瞬态热阻抗曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023-12-19
应用简报 成功并联功率 MOSFET 的技巧 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023-12-6
应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023-3-15
选择指南 电源管理指南 2018 2018-7-31
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 英语版 2015-5-12

设计与开发

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支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
支持的产品和硬件
支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD16325Q5 TINA-TI Spice Model

SLIM144.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD16325Q5 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLLM101B.ZIP (8 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支持的产品和硬件
计算工具

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
支持的产品和硬件
计算工具

SLPR053 — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
支持的产品和硬件
计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Boost Converter

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。
支持的产品和硬件
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
支持的产品和硬件
计算工具

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

支持的产品和硬件
参考设计

PMP20490 — 采用堆叠式 TPS546C20A PMBus 直流/直流转换器的高密度 12Vin、1.2Vout、60A POL 参考设计

通过采用两个相同器件,TPS546C23 可为高电流直流/直流应用提供适用于控制和同步功率级的单个 IC,并允许电流容量加倍。  多相还有助于消除输出纹波以及在给定开关频率下进行有效的更高带宽控制。PMP20490 展示了一款带有电感器(置于控制 IC 顶部以实现更小封装)和两个板载动态负载的高电流两相应用。测试报告显示了采用两个电感器源时的性能和效率。
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-00381 — 具有高侧低侧驱动器的 360W 相移全桥谐振 LLC 参考设计

电源采用全桥谐振 LLC,相移在斜升、轻负载、低输出电压条件下运行。这种工作模式可替代 LLC 中的 PWM 工作模式,从而在轻负载条件下显著提高效率。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSON-CLIP (DQH) 8 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

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