전력 관리 전력계 질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3622

활성

700V 106mΩ GaN FET with integrated driver and protection

제품 상세 정보

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 700V, 106mΩ, GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad
  • 700V, 106mΩ, GaN power FET
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad

The LMG3622 is a 700V 106mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3622 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3622 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

The LMG3622 is a 700V 106mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3622 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm by 5.3mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3622 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 동영상

기술 자료

star =TI에서 선정한 이 제품의 인기 문서
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하십시오.
5개 모두 보기
유형 직함 날짜
* Data sheet LMG3622 700V, 106 mΩ, GaN FET With Integrated Driver and Current-Sense Emulation datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2025/05/13
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 2024/01/30
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 2023/11/30
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 2023/11/28
Certificate LMG3622EVM-082 EU Declaration of Conformity (DoC) 2023/08/21

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

LMG3622EVM-082 — USB Type-C® PD를 지원하는 65W 반공진 플라이백 컨버터용 LMG3622 평가 모듈

LMG3622EVM-082는 전류 감지 에뮬레이션이 포함된 LMG3622 통합 GaN FET를 사용하는 65W USB Type-C® PD(Power Delivery) 오프라인 어댑터에 대한 고효율 및 고밀도를 보여줍니다.  입력은 범용 90VAC~265VAC를 지원하며 단일 출력은 최대 3A에서 5V, 9V 및 15V, 최대 3.25A에서 20V로 설정할 수 있습니다. 이 값은 USB PD 인터페이스 컨트롤러를 사용하여 조정할 수 있습니다.  최대 200kHz의 공칭 고주파 작동은 솔루션 크기를 줄이는 동시에 다중 모드 작동으로 (...)

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
계산 툴

LMG36XX-CALC LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG3612 통합 드라이버 및 보호를 지원하는 650V 120mΩ GaN FET LMG3614 드라이버 및 보호 기능이 통합된 650V 170mΩ GaN FET LMG3616 드라이버 및 보호 기능이 통합된 650V 270mΩ GaN FET LMG3622 700V 106mΩ GaN FET with integrated driver and protection LMG3624 700V 155mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing LMG3626 700V 220mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing
레퍼런스 디자인

PMP23558 — GaN 레퍼런스 설계를 사용하는 240W AC/DC PSU

이 레퍼런스 설계는 트랜지션 모드 부스트 PFC(역률 보정)와 하프 브리지 LLC를 사용하는 설계로, 범용 AC 입력을 받아 절연 24V, 10A 출력을 생성합니다. 이 설계는 효율 향상을 위해 드라이버와 전류 감지 에뮬레이션이 통합된 LMG3622 GaN 모듈을 1차측에 사용합니다. 이 설계는 90Vac 입력에서 93.62% 전부하 효율을 달성합니다.
Test report: PDF
레퍼런스 디자인

TIDA-050074 — 140W GaN 기반 USB PD3.1 USB-® 어댑터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 높은 효율성 및 전력 밀도를 지원하는 질화 갈륨(GaN) 기반 140W AC-DC 전력입니다. 넓은 입력(90VAC~264VAC) 및 출력(5V~28V) 전압을 지원합니다. USB PD3.1용 어댑터 설계 및 전동 공구용 충전기와 같은 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
Design guide: PDF
레퍼런스 디자인

PMP41037 — GaN 및 C2000을 지원하는 1KW, 800V~12V 직렬 하프 브리지 양방향 DCX 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 절연 기능을 통해 800V DC 버스를 12V로 변환하는 1kW 양방향 DC 변압기(DCX)입니다. 이 설계는 F280039C에 의해 제어되며 공진 탱크의 공진 주파수에서 지속적으로 작동합니다. 1차측에서는 LMG3622 GaN 직렬 하프 브리지를 사용하여 최대 900V DC 전압을 처리합니다. 직렬 하프 브리지(SHB)는 풀 브리지로 수정하고 고전압 측을 800V에서 400V로 변경할 수 있습니다. 직렬 하프 브리지는 다양한 PWM 전략을 지원하고 유연성을 제어합니다.
Test report: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

동영상