전력 관리 전력계 질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3624

활성

700V 155mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing

제품 상세 정보

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • GaN power FET: 700V, 155mΩ,
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad
  • GaN power FET: 700V, 155mΩ,
  • Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high bandwidth and high accuracy
  • Cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection with FLT pin reporting
  • AUX quiescent current: 240µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
  • 8mm × 5.3mm QFN package with thermal pad

The LMG3624 is a 700V 155mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3624 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm × 5.3mm VQFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3624 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

The LMG3624 is a 700V 155mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3624 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8mm × 5.3mm VQFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The LMG3624 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.

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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet LMG3624 700V, 155 mΩ, GaN FET With Integrated Driver and Current-Sense Emulation datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2025/09/25
Technical article The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 2024/01/30
Application brief Maximize System Efficiency With Integrated Current Sensing From TI GaN PDF | HTML 2023/11/30
Product overview Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs PDF | HTML 2023/11/28

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

LMG3624EVM-081 — USB Type-C® PD를 지원하는 65W 반공진 플라이백 컨버터용 LMG3624 평가 모듈

LMG3624EVM-081은 전류 감지 에뮬레이션이 포함된 LMG3624 통합 GaN FET를 사용하는 65W USB Type-C® PD(Power Delivery) 오프라인 어댑터에 대한 고효율 및 고밀도를 보여줍니다. 입력은 범용 90Vac~265Vac를 지원하며 단일 출력을 최대 3A에서 5V, 9V 및 15V, 최대 3.25A에서 20V로 설정할 수 있습니다. 이 값은 USB PD 인터페이스 컨트롤러를 사용하여 조정할 수 있습니다. 최대 200kHz의 공칭 고주파 작동은 솔루션 크기를 줄이는 동시에 다중 모드 작동으로 높은 (...)

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
계산 툴

LMG36XX-CALC LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG3612 통합 드라이버 및 보호를 지원하는 650V 120mΩ GaN FET LMG3614 드라이버 및 보호 기능이 통합된 650V 170mΩ GaN FET LMG3616 드라이버 및 보호 기능이 통합된 650V 270mΩ GaN FET LMG3622 700V 106mΩ GaN FET with integrated driver and protection LMG3624 700V 155mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing LMG3626 700V 220mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing
레퍼런스 디자인

TIDA-050072 — 65W GaN 기반 USB PD3.0 USB-C 어댑터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 휴대폰, 랩톱 및 태블릿을 포함한 많은 충전 애플리케이션을 대상으로 하는 65W USB PD3.0 어댑터입니다. 이 설계는 전류 감지 에뮬레이션이 포함된 LMG3624 통합 GaN FET를 사용하여 높은 효율 및 전력 밀도를 달성합니다. 반공진 플라이백이 고효율을 제공하여 단순성과 낮은 스위칭 손실 사이의 균형을 유지합니다.
Design guide: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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