LMG3612
- 650-V 120-mΩ GaN power FET
- Integrated gate driver with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
- Overtemperature protection with FLT pin reporting
- AUX quiescent current: 55 µA
- Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
- 8 mm × 5.3 mm QFN package with thermal pad
The LMG3612 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3612 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.
Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.
The LMG3612 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
기술 자료
| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|---|
| * | 데이터 시트 | LMG3612650-V120-mΩ GaN FET With Integrated Driver datasheet | PDF | HTML | 2023. 11. 14 | |
| 기술 문서 | The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies | PDF | HTML | 2024. 1. 30 | ||
| Product overview | Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs | PDF | HTML | 2023. 11. 28 |
설계 및 개발
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| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VQFN (REQ) | 38 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
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