The LMG3612 is a 650-V 120-mΩ GaN power FET intended for switch-mode power-supply applications. The LMG3612 simplifies design and reduces component count by integrating the GaN FET and gate driver in a 8-mm by 5.3-mm QFN package.
Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control.
The LMG3612 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include under-voltage lockout (UVLO) and overtemperature protection. Overtemperature protection is reported with the open-drain FLT pin.
| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 날짜 |
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| * | Data sheet | LMG3612650-V120-mΩ GaN FET With Integrated Driver datasheet | PDF | HTML | 2023/11/14 |
| Technical article | The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies | PDF | HTML | 2024/01/30 | |
| Product overview | Designing With the LMG362x Family of Low-Power GaN FETs | PDF | HTML | 2023/11/28 |
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LMG3622EVM-082는 전류 감지 에뮬레이션이 포함된 LMG3622 통합 GaN FET를 사용하는 65W USB Type-C® PD(Power Delivery) 오프라인 어댑터에 대한 고효율 및 고밀도를 보여줍니다. 입력은 범용 90VAC~265VAC를 지원하며 단일 출력은 최대 3A에서 5V, 9V 및 15V, 최대 3.25A에서 20V로 설정할 수 있습니다. 이 값은 USB PD 인터페이스 컨트롤러를 사용하여 조정할 수 있습니다. 최대 200kHz의 공칭 고주파 작동은 솔루션 크기를 줄이는 동시에 다중 모드 (...)
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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| VQFN (REQ) | 38 | Ultra Librarian |
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.
The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use of LMG36XX integrated GaN FET.
Rev A