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TPS22917

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具备可调节上升时间和可调节输出放电功能的 5.5V、2A、80mΩ、10nA 泄露负载开关

产品详情

Number of channels 1 Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 5.5 Imax (A) 2 Ron (typ) (mΩ) 80 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.01 Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 0.5 Soft start Adjustable Rise Time Current limit type None Features Quick output discharge, Reverse current protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -45 to 125 FET Internal Device type Load switches Function Inrush current control, Reverse current blocking
Number of channels 1 Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 5.5 Imax (A) 2 Ron (typ) (mΩ) 80 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.01 Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 0.5 Soft start Adjustable Rise Time Current limit type None Features Quick output discharge, Reverse current protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -45 to 125 FET Internal Device type Load switches Function Inrush current control, Reverse current blocking
SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 输入电压范围 (VIN):1V 至 5.5V
  • 最大持续电流 (IMAX):2A
  • 导通电阻 (RON)
    • 5V VIN = 80mΩ(典型值)
    • 1.8V VIN = 120mΩ(典型值)
    • 1V VIN = 220mΩ(典型值)
  • 超低功耗:
    • 导通状态 (IQ):0.5µA(典型值)
    • 关闭状态 (ISD):10nA(典型值)
  • ON 引脚智能下拉电阻 (RPD):
    • ON ≥ VIH (ION):10nA(最大值)
    • ON ≤ VIL (RPD):750kΩ(典型值)
  • 可调节开通时序可限制浪涌电流 (tON):
    • 在 72mV/µs(CT = 开路)下,5V tON = 100µs
    • 5V tON = 4000µs,2.3mV/µs (CT = 1000pF)
  • 可调节输出放电和下降时间:
    • 可选 QOD 电阻 ≥ 150Ω(内部)
  • 常开的真反向电流阻断 (RCB):
    • 激活电流 (IRCB):–500mA(典型值)
    • 反向泄漏电流 (IIN,RCB):-1µA(最大值)
  • 输入电压范围 (VIN):1V 至 5.5V
  • 最大持续电流 (IMAX):2A
  • 导通电阻 (RON)
    • 5V VIN = 80mΩ(典型值)
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    • 可选 QOD 电阻 ≥ 150Ω(内部)
  • 常开的真反向电流阻断 (RCB):
    • 激活电流 (IRCB):–500mA(典型值)
    • 反向泄漏电流 (IIN,RCB):-1µA(最大值)

TPS22917x 器件是一款小型单通道负载开关,采用低泄漏电流 P 沟道 MOSFET 实现超小的功率损耗。高级栅极控制设计支持低至 1V 的工作电压,且增加超小的导通电阻和功率损耗。

可以使用外部组件独立调节上升和下降时间,以实现系统级优化。可通过调节计时电容器 (CT) 和开通时间来管理浪涌电流,且不会增加不必要的系统延迟。输出放电电阻 (QOD) 可用来调节输出下降时间。将 QOD 引脚直接连接到输出端可获得最快的下降时间,或使其保持开路以获得最慢的下降时间。

开关导通状态由数字输入控制,此输入可与低压控制信号直接连接。TPS22917 采用高电平有效使能逻辑,而 TPS22917L 低电平有效使能逻辑。首次加电时,此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空,直到系统时序控制完成。ON 引脚故意驱动为高电平 (≥VIH) 后,便会断开智能下拉电阻 (RPD),从而防止不必要的功率损耗。

TPS22917x 器件采用支持目测检查焊点的带引线 SOT-23 封装 (DBV)。此器件的工作温度范围为 –40°C 至 125°C。

TPS22917x 器件是一款小型单通道负载开关,采用低泄漏电流 P 沟道 MOSFET 实现超小的功率损耗。高级栅极控制设计支持低至 1V 的工作电压,且增加超小的导通电阻和功率损耗。

可以使用外部组件独立调节上升和下降时间,以实现系统级优化。可通过调节计时电容器 (CT) 和开通时间来管理浪涌电流,且不会增加不必要的系统延迟。输出放电电阻 (QOD) 可用来调节输出下降时间。将 QOD 引脚直接连接到输出端可获得最快的下降时间,或使其保持开路以获得最慢的下降时间。

开关导通状态由数字输入控制,此输入可与低压控制信号直接连接。TPS22917 采用高电平有效使能逻辑,而 TPS22917L 低电平有效使能逻辑。首次加电时,此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空,直到系统时序控制完成。ON 引脚故意驱动为高电平 (≥VIH) 后,便会断开智能下拉电阻 (RPD),从而防止不必要的功率损耗。

TPS22917x 器件采用支持目测检查焊点的带引线 SOT-23 封装 (DBV)。此器件的工作温度范围为 –40°C 至 125°C。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

HALL-TRIGGER-EVM — 适用于非接触式霍尔效应变速触发器、具有外部磁场保护的评估模块

此评估模块 (EVM) 使用霍尔效应传感器,实现了一种可根据按压位移提供不同电压输出的触发器。与以前的机械式触发器相比,EVM 采用非接触式方法来减少磨损,从而延长产品寿命。低功耗霍尔效应开关与负载开关一起使用,可在未按压触发器时使系统处于低功耗待机模式。此外,当存在强大的外部磁场时,可选的磁场保护特性可帮助禁用电压输出。
用户指南: PDF | HTML
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评估板

TPS22917EVM — TPS22917 5.5V、2A、80mΩ 导通电阻负载开关评估模块

TPS22917 评估模块 (EVM) 是一种组装完备并经过测试的电路,用于评估 TPS22916xx 负载开关。TPS22917EVM 可让用户在不同的负载条件下(0A 至 2A)向 TPS22917 器件施加不同的输入电压(1.0V 至 5.5V)。通过该器件的输入和输出连接以及 PCB 布局布线,可处理高连续电流,并提供进出被测器件的低电阻通道。通过测试点连接,EVM 用户可以在用户定义的测试条件下控制器件并进行准确的 RON 测量。
用户指南: PDF
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仿真模型

TPS22917 Unencrypted PSpice Transient Model

SLVMCE8.ZIP (4 KB) - PSpice Model
仿真模型

TPS22917 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. A)

SLVMCE9A.ZIP (6743 KB) - PSpice Model
仿真模型

TPS22917L PSpice Model

SLVMDR5.ZIP (86 KB) - PSpice Model
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
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与以前的机械式触发器相比,该设计采用非接触式方法来减少磨损,从而延长产品寿命。低功耗霍尔效应开关与负载开关一起使用,可在未按压触发器时使系统处于低功耗待机模式。此外,当存在强大的外部磁场时,可选的磁场保护特性可帮助禁用电压输出。

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设计指南: PDF
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23 (DBV) 6 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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