封装信息
| 封装 | 引脚 SOT-23 (DBV) | 5 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 140 |
| 包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
UCC27517 的特性
- 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
- 4A 峰值拉电流和 4A 峰值灌电流对称驱动
- 短暂传播延迟（典型值 13ns）
- 短暂上升和下降时间（典型值分别为 9ns 和 7ns）
- 4.5V 至 18V 单电源范围
- VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间输出保持低电平（确保上电和掉电时无毛刺脉冲运行）
- 晶体管逻辑 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入逻辑阈值（与电源电压无关）
- 针对高抗扰度的滞后逻辑阈值
- 双输入设计（可选择反相（IN- 引脚）或非反相（IN+ 引脚）驱动器配置）
- 未使用的输入引脚可用于使能或禁用功能
- 当输入引脚悬空时，输出保持在低电平
- 输入引脚绝对最大电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
- -40°C 至 140°C 的运行温度范围
- 5 引脚 DBV (SOT-23) 和 6 引脚 DRS（3mm x
3mm 带有外露散热焊盘的晶圆级小外形无引线 (WSON)）封装选项
应用
- 开关模式电源
- 直流-直流转换器
- 针对数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件
- 太阳能、电机控制、不间断电源 (UPS)
- 用于新上市的宽带隙电源器件（例如 GaN）的栅极驱动器
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UCC27517 的说明
UCC27516 和 UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 电源开关。UCC27516 和 UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为 13ns）。
当 VDD = 12V 时，UCC27516 和 UCC27517 可提供峰值为 4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。
UCC27516 和 UCC27517 具有 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围，以及 –40°C 至 140°C 的宽温度范围。VDD 引脚上的内部欠压闭锁 (UVLO) 电路可在超出 VDD 运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压（例如低于 5V）下运行，并且拥有同类产品中较好的开关特性，因此非常适用于驱动诸如 GaN 功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。
UCC27516 和 UCC27517 特有双输入设计，同一器件可灵活实现反相（IN- 引脚）和非反相（IN+ 引脚）配置。IN+ 引脚和 IN- 引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑，输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时，确保输出被保持在低电平。因此，未使用的输入引脚不能保留在悬空状态而必须被适当的偏置，以确保驱动器输出被使能用于正常运行。
UCC27516 和 UCC27517 器件的输入引脚阈值是基于 TTL 和 COMS 兼容低压逻辑电路的，此逻辑电路是固定的且与 VDD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。