TPSI2240-Q1
- 符合汽车应用要求
- AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，TA
- 低 EMI：
- 符合 CISPR25 5 类性能要求，无需额外组件
- 集成雪崩额定 MOSFET
- 针对电介质耐压测试 (Hi-Pot) 可靠性进行设计和认证
- TPSI2240-Q1 IAVA = 1mA（60s 脉冲）
-
TPSI2240C-Q1 IAVA = 0.6mA（60s 脉冲）
- TPSI2240T-Q1 IAVA = 3mA（60s 脉冲）
- 1200V 关断电压
- RON = 130Ω (TJ = 25°C)
- TON，TOFF < 700µs
- 1000V 时的 IOFF = 1.22µA (TJ = 105°C)
- 针对电介质耐压测试 (Hi-Pot) 可靠性进行设计和认证
- 低初级侧电源电流
- 3.5µA 关断状态电流 (TJ = 25°C)
-
功能安全型
- 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 辅助设计的文档
- 稳健可靠的隔离栅：
- 在 1500VRMS / 2120VDC 工作电压下预计寿命超过 30 年
- 增强隔离额定值 VISO 高达 4750VRMS
- SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装，具有宽引脚，可提高热性能
- 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
- 爬电距离和间隙≥ 6mm（开关端子之间）
- 安全相关认证
- （计划）DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- （计划）UL 1577 组件认证计划
TPSI2240-Q1 是一款隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。TPSI2240-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。
该器件的初级侧仅由 5mA 的输入电流供电，并集成了一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 4.5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚应由逻辑高电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中，VDD 和 EN 引脚可以直接全由系统电源或 GPIO 输出驱动。TPSI2240-Q1 的所有控制配置都不需要光继电器解决方案通常所需的其他外部元件，例如电阻器和/或低侧开关。
次级侧包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.2kV。TPSI2240-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 1mA（TPSI2240C-Q1 为 0.6mA，TPSI2240T-Q1 为 3mA）的直流快速充电器浪涌电流。
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPSI2240-Q1 具有雪崩保护功能的 1200V、50mA 汽车类增强型固态继电器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2026-1-5 |
| 应用手册 | 采用有源单开关架构的车载充电器系统中的绝缘监测器件 (IMD) 设计 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2026-2-9 | |
| 功能安全信息 | TPSI2240-Q1, TPSI2240C-Q1, and TPSI2240T-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. A) | PDF | HTML | 2026-1-26 | |||
| 应用手册 | 大型 Y 电容器电阻电桥直流绝缘监测器件的设计注意事项 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2026-1-21 | |
| 证书 | TPSI2240Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025-7-1 |
设计与开发
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评估板
TPSI2240Q1EVM — TPSI2240-Q1 评估模块
TPSI2240Q1EVM 是包含多个测试点和跳线的硬件评估模块 (EVM)，用于全面评估 TPSI2240-Q1 的性能和功能。该评估模块包含测试和评估 TPSI2240-Q1 器件所需的材料，可以将器件无缝设计到更大型的应用中，如电池管理系统。TPSI2240Q1EVM 可单独使用，也可选择与外部微控制器配对使用，用于驱动器件的使能信号。使用该 EVM 评估诸如电介质耐压测试（又称高压 [HiPot] 测试）和直流快充浪涌电流等应用需求，且无需外部保护元件。此 EVM 组装了采用 SOIC 封装的 TPSI2240-Q1。
计算工具
TPSI2240X-Q1-HIPOT-RESISTANCE-CALC — TPSI2240x-Q1 HiPot 设计计算器
Spreadsheet calculator to help determine TPSI2240x-Q1 series resistance based on customer High Potential (HiPot) Withstand Test requirements.
参考设计
TIDA-010985 — 适用于 800V 直流系统、具有大 Y 电容器的阻性桥式绝缘监测器件参考设计
此参考设计采用阻性桥式绝缘监测器件 (IMD)。此设计可准确检测对称和非对称隔离电阻故障。该参考设计还测量具有大 Y 电容（Y 电容）的高压直流系统的电容。此设计满足 UL 标准规定的响应时间要求。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DWQ) | 11 | Ultra Librarian |
订购和质量
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