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TPS7H6023-SP

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Radiation-hardened, QML-V, 22V half-bridge GaN gate driver

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TPS7H6023-SP

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 22 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 22 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
CFP (HBX) 48 468.72 mm² (16.74 mm × 28 mm)
  • 辐射性能：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式：
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配
  • 辐射性能：
    • 耐辐射保障 (RHA) 高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 75MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 的特征值高达 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉电流和 2.5A 峰值灌电流
  • 两种工作模式：
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 两个独立输入
  • 在独立输入模式下提供可选输入互锁保护
  • 分离输出实现可调的导通和关断时间
  • 独立输入模式下的典型传播延迟为 30ns
  • 5.5ns 典型延迟匹配

TPS7H60x3-SP 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等级）、TPS7H6013-SP（60V 等级）和 TPS7H6023-SP（22V 等级）。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x3-SP 驱动器都具有分离栅输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x3-SP 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。

TPS7H60x3-SP 系列耐辐射保障 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等级）、TPS7H6013-SP（60V 等级）和 TPS7H6023-SP（22V 等级）。这些驱动器具有可调节死区时间功能、30ns 低传播延迟，以及 5.5ns 的高侧和低侧匹配。这些器件还包括内部高侧和低侧 LDO，无论电源电压如何，都能确保驱动电压为 5V。TPS7H60x3-SP 驱动器都具有分离栅输出，可独立灵活地调节输出的导通和关断强度。

TPS7H60x3-SP 驱动器具有两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入来控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可以调节每个边沿的死区时间。

栅极驱动器还提供用户可配置的输入互锁功能，在独立输入模式下作为防击穿保护。当两个输入同时导通时，输入互锁不允许两个输出同时导通。用户可以选择在独立输入模式下启用或禁用此保护，从而可以在多种不同的转换器配置中使用该驱动器。这些驱动器还可用于半桥和双低侧转换器应用。
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* 数据表 TPS7H60x3-SP 耐辐射保障 1.3A、2.5A、 半桥 GaN FET 栅极驱动器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2024-4-27
* 辐射与可靠性报告 TPS7H60X3-SP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization Report (Rev. A) PDF | HTML 2024-8-13
* 辐射与可靠性报告 TPS7H6023-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report 2024-7-1
* 辐射与可靠性报告 TPS7H60X3-SP Single-Event Effects (SEE) Report (Rev. A) PDF | HTML 2024-6-17
* SMD TPS7H6023-SP SMD 5962-22201 2024-4-30
选择指南 TI Space Products (Rev. L) 2026-3-27
应用手册 气密性封装回流焊曲线、端接镀层以及引线裁切与成型 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2025-11-20
应用简报 经 DLA 批准的 QML 产品优化 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2025-8-18
应用手册 重离子轨道环境单粒子效应估算 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2025-7-7
技术文章 如何借助电力系统优化下一代卫星的 SWaP (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2025-3-19
更多文献资料 TI Engineering Evaluation Units vs. MIL-PRF-38535 QML Class V Processing (Rev. B) 2025-2-20
应用手册 QML flow, its importance, and obtaining lot information (Rev. C) 2023-8-30
应用手册 单粒子效应置信区间计算 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2022-12-2
电子书 电子产品辐射手册 2022-5-7
应用手册 DLA Standard Microcircuit Drawings (SMD) and JAN Part Numbers Primer 2020-8-21

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPS7H6023EVM-CVAL — TPS7H6023-SP 评估模块

TPS7H6023EVM-CVAL 用户指南提供了操作 TPS7H6023-SP 评估模块的全面说明。该电路板可接受高达 14V 的输入电压，允许设计人员通过驱动氮化镓 (GaN) FET 来测试 TPS7H6023-SP 的可靠性。默认情况下，该评估模块设置为在 PWM 模式下与 TPS7H6023-SP 一起运行。该模式接受一个开关信号的输入，并在内部生成互补信号。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
评估板

ALPHA-3P-ADM-VA601-SPACE-AMD — 采用 AMD Versal Core XQRVC1902 ACAP 和 TI 抗辐射产品的 Alpha Data ADM-VA601 套件

具有 6U VPX 外形，突出了 AMD-Xilinx® Versal AI Core XQRVC1902 自适应 SoC/FPGA。ADM-VA600 采用模块化板设计，带有一个 FMC+ 连接器、DDR4 DRAM 和系统监控功能。大多数元件是耐辐射电源管理、接口、时钟和嵌入式处理 (-SEP) 器件。

来源：Alpha Data Parallel Systems Ltd.
支持的产品和硬件
仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS 模型
支持的产品和硬件
参考设计

PMP23389 — 航天级 12V 至 5V、15A 同步降压转换器参考设计

此参考设计使用 TPS7H5002-SP PWM 控制器来控制同步降压，可将标称 12V 输入转换为 5.1V 固定输出，并支持高达 15A 的负载。TPS7H6023-SP 可驱动 GaN FET，从而在太空应用中实现可靠的设计。可直接检测输出电流，以实现遥测和过流保护。此设计以 750KHz 的频率进行开关，可实现 93% 以上的效率，输出波纹低于 30mV。

支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-010958 — 耐辐射双相 Versal® FPGA 电源参考设计

TIDA-010958 是一种面向 AMD® Versal® AI Core XQRVC1902 内核电源轨的耐辐射同步降压电源参考设计。此设计适用于 12V 输入操作，可生成 0.8V 的输出电压和最大 80A 的输出电流。这种紧凑型电源设计可提供高电流，同时满足 FPGA 的小容差要求。该电源设计与 Versal® AI Core XQRVC1902 结合使用，可为卫星提供执行不同任务所需的精度、可靠性和效率。TIDA-010958 采用耐辐射器件，在可用时无源元件符合 MIL 标准 MIL-STD-55681（或等效版本）。否则，替换为等效的值和元件尺寸。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
CFP (HBX) 48 Ultra Librarian
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订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

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