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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS74401

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3A、低输入电压 (0.8V)、低噪声、高 PSRR、可调节超低压降稳压器

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Rating Catalog Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 0.8 Iout (max) (A) 3 Output options Adjustable Output Vout (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 0.8 Noise (µVrms) 20 PSRR at 100 KHz (dB) 50 Iq (typ) (mA) 3 Features Enable, Power good, Soft start Thermal resistance θJA (°C/W) 27 Load capacitance (min) (µF) 2.2 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 120 Operating temperature range (°C) -40 to 125
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TO-263 (KTW) 7 153.924 mm² 10.1 x 15.24 VQFN (RGR) 20 12.25 mm² 3.5 x 3.5 VQFN (RGW) 20 25 mm² 5 x 5
  • 输入电压范围：1.1V 至 5.5V
  • 可调启动浪涌控制
  • 线路、负载和温度范围内的精度为 1%

  • VBIAS 支持低 VIN 运行，具有良好的瞬态响应

  • 可调输出：0.8V 至 3.6V
  • 超低压降：
    • 在 3.0A 电流下为 115mV（典型值）（旧芯片）
    • 在 3.0A 电流下为 120mV（典型值）（新芯片）
  • 使用任何输出电容器或不使用输出电容器时均可保持稳定（旧芯片）

  • 在使用任何 ≥ 2.2µF 的输出电容器时均可保持稳定（新芯片）

  • 电源正常 (PG) 输出可实现电源监视或为其他电源提供时序信号
  • 封装：
    • 5mm× 5mm× 1mm VQFN (RGW)
    • 3.5mm × 3.5mm VQFN (RGR) 和 DDPAK-7（旧芯片）
  • 输入电压范围：1.1V 至 5.5V
  • 可调启动浪涌控制
  • 线路、负载和温度范围内的精度为 1%

  • VBIAS 支持低 VIN 运行，具有良好的瞬态响应

  • 可调输出：0.8V 至 3.6V
  • 超低压降：
    • 在 3.0A 电流下为 115mV（典型值）（旧芯片）
    • 在 3.0A 电流下为 120mV（典型值）（新芯片）
  • 使用任何输出电容器或不使用输出电容器时均可保持稳定（旧芯片）

  • 在使用任何 ≥ 2.2µF 的输出电容器时均可保持稳定（新芯片）

  • 电源正常 (PG) 输出可实现电源监视或为其他电源提供时序信号
  • 封装：
    • 5mm× 5mm× 1mm VQFN (RGW)
    • 3.5mm × 3.5mm VQFN (RGR) 和 DDPAK-7（旧芯片）

TPS74401 低压降 (LDO) 线性稳压器提供了一个面向各种应用的易用稳健型电源管理选件。用户可编程的软启动功能可降低器件启动时的电容浪涌电流，从而以最大限度减小输入电源的应力。软启动具有单调性，旨在为各类处理器和专用集成电路 (ASIC) 供电。借助使能输入和电源正常输出，可通过外部稳压器轻松实现上电排序。借助全方位的灵活性，用户可为现场可编程门阵列 (FPGA)、数字信号处理器 (DSP) 以及具有具体启动要求的其他应用配置可满足其时序要求的计划。

该器件还具有高精度的参考电压电路和误差放大器，可在整个负载、线路、温度和过程范围内提供 1% 精度。该器件在不使用输出电容器（旧芯片）或使用任何类型的 ≥2.2µF 电容器（新芯片）的情况下都能保持稳定。该器件的额定工作温度范围为 TJ = –40°C 至 +125°C。

TPS74401 低压降 (LDO) 线性稳压器提供了一个面向各种应用的易用稳健型电源管理选件。用户可编程的软启动功能可降低器件启动时的电容浪涌电流，从而以最大限度减小输入电源的应力。软启动具有单调性，旨在为各类处理器和专用集成电路 (ASIC) 供电。借助使能输入和电源正常输出，可通过外部稳压器轻松实现上电排序。借助全方位的灵活性，用户可为现场可编程门阵列 (FPGA)、数字信号处理器 (DSP) 以及具有具体启动要求的其他应用配置可满足其时序要求的计划。

该器件还具有高精度的参考电压电路和误差放大器，可在整个负载、线路、温度和过程范围内提供 1% 精度。该器件在不使用输出电容器（旧芯片）或使用任何类型的 ≥2.2µF 电容器（新芯片）的情况下都能保持稳定。该器件的额定工作温度范围为 TJ = –40°C 至 +125°C。
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