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LM5114

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具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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UCC27611 正在供货 具有 4V UVLO 和 5V 稳压输出的 4A/6A 单通道栅极驱动器 More recent driver with higher supply voltage capability, smaller package

LM5114

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产品详情

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7.6 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 12.6 Features Controllable Rise and Fall Times Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 3 Propagation delay time (µs) 0.012 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Low Side
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7.6 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 12.6 Features Controllable Rise and Fall Times Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 3 Propagation delay time (µs) 0.012 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Low Side
SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8 WSON (NGG) 6 9 mm² 3 x 3
  • Independent Source and Sink Outputs for
    Controllable Rise and Fall Times
  • 4-V to 12.6-V Single Power Supply
  • 7.6-A/1.3-A Peak Sink and Source Drive Current
  • 0.23-Ω Open-drain Pulldown Sink Output
  • 2-Ω Open-drain Pullup Source Output
  • 12-ns (Typical) Propagation Delay
  • Matching Delay Time Between Inverting and
    Noninverting Inputs
  • TTL/CMOS Logic Inputs
  • 0.68-V Input Hysteresis
  • Up to 14-V Logic Inputs (Regardless of VDD Voltage)
  • Low Input Capacitance: 2.5-pF (Typical)
  • –40°C to 125°C Operating Temperature Range
  • Pin-to-Pin Compatible With MAX5048
  • 6-Pin SOT-23
  • Independent Source and Sink Outputs for
    Controllable Rise and Fall Times
  • 4-V to 12.6-V Single Power Supply
  • 7.6-A/1.3-A Peak Sink and Source Drive Current
  • 0.23-Ω Open-drain Pulldown Sink Output
  • 2-Ω Open-drain Pullup Source Output
  • 12-ns (Typical) Propagation Delay
  • Matching Delay Time Between Inverting and
    Noninverting Inputs
  • TTL/CMOS Logic Inputs
  • 0.68-V Input Hysteresis
  • Up to 14-V Logic Inputs (Regardless of VDD Voltage)
  • Low Input Capacitance: 2.5-pF (Typical)
  • –40°C to 125°C Operating Temperature Range
  • Pin-to-Pin Compatible With MAX5048
  • 6-Pin SOT-23

The LM5114 is designed to drive low-side MOSFETs in boost-type configurations or to drive secondary synchronous MOSFETs in isolated topologies. With strong sink current capability, the LM5114 can drive multiple FETs in parallel. The LM5114 also has the features necessary to drive low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The LM5114 provides inverting and noninverting inputs to satisfy requirements for inverting and Noninverting gate drive in a single device type. The inputs of the LM5114 are TTL/CMOS Logic compatible and withstand input voltages up to 14 V regardless of the VDD voltage. The LM5114 has split gate outputs, providing flexibility to adjust the turnon and turnoff strength independently. The LM5114 has fast switching speed and minimized propagation delays, facilitating high-frequency operation. The LM5114 is available in a 6-pin SOT-23 package and a 6-pin WSON package with an exposed pad to aid thermal dissipation.

The LM5114 is designed to drive low-side MOSFETs in boost-type configurations or to drive secondary synchronous MOSFETs in isolated topologies. With strong sink current capability, the LM5114 can drive multiple FETs in parallel. The LM5114 also has the features necessary to drive low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The LM5114 provides inverting and noninverting inputs to satisfy requirements for inverting and Noninverting gate drive in a single device type. The inputs of the LM5114 are TTL/CMOS Logic compatible and withstand input voltages up to 14 V regardless of the VDD voltage. The LM5114 has split gate outputs, providing flexibility to adjust the turnon and turnoff strength independently. The LM5114 has fast switching speed and minimized propagation delays, facilitating high-frequency operation. The LM5114 is available in a 6-pin SOT-23 package and a 6-pin WSON package with an exposed pad to aid thermal dissipation.
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设计与开发

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评估板

LM5114BSDEVAL — LM5114 升压栅极驱动器评估板

LM5114 是一款单路低侧栅极驱动器，具有 7.6A/1.3A 的峰值灌/拉驱动电流能力。它可用于驱动升压型配置中的标准 Si MOSFET 或增强模式 GaN FET，或用于驱动隔离式拓扑中的次级同步 FET。LM5114 评估板旨在为设计工程师提供功能齐全的升压直流-直流转换器，以来评估 LM5114。100V 增强模式 GaN FET (EPC2001) 用作升压电源开关。该控制电路采用 100V 电流模式 PWM 控制器 LM5020 来实现。评估板的规格如下：

  • 输入工作电压：24V 至 66V
  • 输出电压：75V
  • 输出电流：2A
  • 48V 时测得的效率：97% @ 2A
  • 工作频率：500kHz
  • (...)
用户指南: PDF
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LM5114A Unencrypted PSpice Transient Model

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LM5114B PSpice Transient Model

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PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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参考设计

PMP22510 — 开关型集成电容器降压 (SCIB) 转换器参考设计

该开关型集成电容器降压 (SCIB) 转换器经高度优化，适用于高功率、高密度单输出功率转换器。它可在 40V 至 60V 的宽输入电压轨范围内工作，每相可生成 8.0V、5.0V、3.3V 或 1.8V 电压轨及最高 40A 的负载电流。该参考设计在 23mm x 23mm 的 PCB 上集成了 CSD95490Q5MC 和 CSD95379Q3M NexFET MOSFET 功率级、UCC27212 驱动器 IC、电容器和电感器，并可与多相降压控制器 TPS53667 兼容，以实现功率级切换功能。
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原理图: PDF
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SOT-23 (DBV) 6 Ultra Librarian
WSON (NGG) 6 Ultra Librarian
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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
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