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UCC27611

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具有 4V UVLO 和 5V 稳压输出的 4A/6A 单通道栅极驱动器

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UCC27611

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产品详情

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 6 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Regulated gate driver voltage, Split Output Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 4 Propagation delay time (µs) 0.014 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Low Side
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 6 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Regulated gate driver voltage, Split Output Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 4 Propagation delay time (µs) 0.014 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Low Side
WSON (DRV) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • 增强模式氮化镓场效应晶体管 (FET) (eGANFET)
  • 4V 到 18V 单电源供电电压范围
  • 5V的驱动电压 VREF
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动
  • 1Ω 和 0.35Ω 上拉和下拉电阻（最大限度提升对高转换率 dV 和 dt 的抗扰度）
  • 分离输出配置（可实现针对各个 FET 的导通和关断优化）
  • 传输延迟小（典型值为 14ns）
  • 快速上升和下降时间（典型值分别为 9ns 和 5ns）
  • TTL 和 CMOS 兼容输入（不受电源电压影响，很容易连接至数字和模拟控制器）
  • 双输入设计实现了灵活驱动（反相配置和同相配置均受支持）
  • 当输入悬空时输出保持在低电平
  • VDD 欠压锁定 (UVLO)
  • 采用与 eGANFET 兼容的优化引脚分布，方便进行布局布线
  • 具有外露散热焊盘和接地焊盘的 2.00mm × 2.00mm 小外形尺寸无引线 (SON)-6 封装（最大限度降低寄生电感以减少栅极振铃）
  • 工作温度范围：-40°C 至 140°C
  • 增强模式氮化镓场效应晶体管 (FET) (eGANFET)
  • 4V 到 18V 单电源供电电压范围
  • 5V的驱动电压 VREF
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动
  • 1Ω 和 0.35Ω 上拉和下拉电阻（最大限度提升对高转换率 dV 和 dt 的抗扰度）
  • 分离输出配置（可实现针对各个 FET 的导通和关断优化）
  • 传输延迟小（典型值为 14ns）
  • 快速上升和下降时间（典型值分别为 9ns 和 5ns）
  • TTL 和 CMOS 兼容输入（不受电源电压影响，很容易连接至数字和模拟控制器）
  • 双输入设计实现了灵活驱动（反相配置和同相配置均受支持）
  • 当输入悬空时输出保持在低电平
  • VDD 欠压锁定 (UVLO)
  • 采用与 eGANFET 兼容的优化引脚分布，方便进行布局布线
  • 具有外露散热焊盘和接地焊盘的 2.00mm × 2.00mm 小外形尺寸无引线 (SON)-6 封装（最大限度降低寄生电感以减少栅极振铃）
  • 工作温度范围：-40°C 至 140°C

UCC27611 是一款针对 5V 驱动而进行优化的单通道、高速、栅极驱动器，它专门用来对增强模式 GaN FET 进行寻址。驱动电压 VREF 被内部线性稳压器精确稳压至 5V。UCC27611 提供 4A 拉电流和 6A 灌电流的非对称轨到轨峰值电流驱动能力。凭借分离输出配置，可根据 FET 优化其导通和关断时间。具有最低寄生电感的封装和引脚分配减少了上升和下降时间并限制了振铃。此外，具有最小容差和变化的短传播延迟可实现高频时的有效运行。1Ω 和 0.35Ω 电阻提升了针对高转换率 dV 和 dt 所致硬开关的抗扰度。

不受 VDD 输入信号阈值的影响确保了 TTL 和 CMOS 低压逻辑兼容性。出于安全方面的考虑，当输入引脚处于悬空状态时，内部输出上拉和下拉电阻将输出保持在低电平。VREF 引脚上的内部电路具有欠压锁定功能，可在 VREF 电源电压处于工作范围内之前，将输出保持在低电平。UCC27611 采用具有外部散热焊盘和接地焊盘的小型 2.00mm × 2.00mm SON-6 封装 (DRV)，提升了封装功率处理能力。UCC27611 运行在 –40°C 至 140°C 的宽温度范围内。

UCC27611 是一款针对 5V 驱动而进行优化的单通道、高速、栅极驱动器，它专门用来对增强模式 GaN FET 进行寻址。驱动电压 VREF 被内部线性稳压器精确稳压至 5V。UCC27611 提供 4A 拉电流和 6A 灌电流的非对称轨到轨峰值电流驱动能力。凭借分离输出配置，可根据 FET 优化其导通和关断时间。具有最低寄生电感的封装和引脚分配减少了上升和下降时间并限制了振铃。此外，具有最小容差和变化的短传播延迟可实现高频时的有效运行。1Ω 和 0.35Ω 电阻提升了针对高转换率 dV 和 dt 所致硬开关的抗扰度。

不受 VDD 输入信号阈值的影响确保了 TTL 和 CMOS 低压逻辑兼容性。出于安全方面的考虑，当输入引脚处于悬空状态时，内部输出上拉和下拉电阻将输出保持在低电平。VREF 引脚上的内部电路具有欠压锁定功能，可在 VREF 电源电压处于工作范围内之前，将输出保持在低电平。UCC27611 采用具有外部散热焊盘和接地焊盘的小型 2.00mm × 2.00mm SON-6 封装 (DRV)，提升了封装功率处理能力。UCC27611 运行在 –40°C 至 140°C 的宽温度范围内。
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设计与开发

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评估板

LMG1020EVM-006 — LMG1020 GaN 低侧驱动器和 GaN FET 激光雷达评估模块

LMG1020EVM-006 是小型易用功率级，适用于激光雷达激光驱动。EVM 包括集成电阻负载（不包括激光）并接受短脉冲输入，可以进行缓冲（并进一步缩短）或直接传递到功率级。该板可展示适用于高分辨率激光雷达和 ToF 系统的纳秒级激光脉冲。
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评估板

UCC27611OLEVM-203 — UCC27611 栅极驱动器开环评估模块

UCC27611OLEVM-203 有助于评估高速单通道低侧驱动器，该驱动器能够通过 5V 稳压优化输出驱动 eGANFET。此 EVM 旨在驱动 UCC27611 器件输出端的容性负载，提供的连接器可灵活地将输出信号引到电路板外部。 该 EVM 可让用户评估 UCC27611 器件在不同的 VDD 偏置电压、容性负载、开关频率以及同相或反相输入信号下的独立运行情况。总之，该 EVM 是一款非常有用的工具，可用于确定 UCC27611 器件预期最终应用的驱动电路元件参数。
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仿真模型

UCC27611 PSpice Transient Model (Rev. C)

SLUM339C.ZIP (45 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC27611 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. E)

SLUM362E.TSC (761 KB) - TINA-TI 参考设计
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC27611 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. B)

SLUM363B.ZIP (5 KB) - TINA-TI Spice 模型
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UCC27611 Unencrypted PSpice Transient Model (Rev. B)

SLUM487B.ZIP (2 KB) - PSpice 模型
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计算工具

SLURB16 — UCC27611 Schematic Review Template

支持的产品和硬件
参考设计

PMP22951 — 具有有源钳位的 54V、3kW 相移全桥参考设计

该参考设计是一款基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB) 转换器。此设计在次级侧使用了有源钳位来最大限度地减小同步整流器 (SR) MOSFET 上的电压应力，从而支持使用具有更优品质因数 (FOM) 的较低电压等级 MOSFET。PMP22951 在初级侧使用 30mΩ GaN，并在同步整流器中使用 100V、1.8mΩ GaN。通过使用 TMS320F280049C 实时微控制器，可实现 PSFB 控制。PSFB 转换器在 140kHz 开关频率下运行，可在 385V 输入下实现 97.45% 的峰值效率。
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TIDA-00785 — 隔离式 GaN 驱动器参考设计

此参考设计包含一个增强型双通道数字隔离器、一个 GaN 栅极驱动器和多个隔离式电源。这一紧凑型参考设计旨在控制电源、直流/直流转换器、同步整流、光伏逆变器和电机控制中的 GaN。栅极驱动器采用基于开环推挽式拓扑的电源，这为 PCB 布线提供了灵活性。TIDA-00785 中使用的推挽式变压器驱动器以 300kHz 的频率运行，可帮助减小隔离变压器的尺寸，从而实现紧凑型电源解决方案。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WSON (DRV) 6 Ultra Librarian
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