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Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Buck Step Down Converter, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Buck Step Down Converter, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RGZ) 48 49 mm² 7 x 7
  • 9V 至 100V 三半桥栅极驱动器
    • 可选的集成降压稳压器
    • 可选的三个低侧电流分流放大器
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调转换率控制,可实现优异的 EMI 性能
    • VGS 握手和最小死区时间插入,可避免发生击穿
    • 50mA 至 1A 峰值拉电流
    • 100mA 至 2A 峰值灌电流
    • 通过强下拉能力减小 dV/dt
  • 集成栅极驱动器电源
    • 高侧倍增电荷泵可实现 100% PWM 占空比控制
    • 低侧线性稳压器
  • 集成 LM5008A 降压稳压器
    • 6V 至 95V 工作电压范围
    • 2.5V 至 75V、350mA 输出能力
  • 集成三个电流分流放大器
    • 可调增益(5、10、20、40 V/V)
    • 双向或单向支持
  • 6x、3x、1x 和独立 PWM 模式
    • 支持 120° 有传感器运行
  • 提供 SPI 或硬件接口
  • 低功耗睡眠模式(VVM = 48V 时为 20µA)
  • 集成式保护 特性
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 栅极驱动电源欠压 (GDUV)
    • MOSFET VDS 过流保护 (OCP)
    • MOSFET 击穿保护
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热警告和热关断 (OTW/OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)
  • 9V 至 100V 三半桥栅极驱动器
    • 可选的集成降压稳压器
    • 可选的三个低侧电流分流放大器
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调转换率控制,可实现优异的 EMI 性能
    • VGS 握手和最小死区时间插入,可避免发生击穿
    • 50mA 至 1A 峰值拉电流
    • 100mA 至 2A 峰值灌电流
    • 通过强下拉能力减小 dV/dt
  • 集成栅极驱动器电源
    • 高侧倍增电荷泵可实现 100% PWM 占空比控制
    • 低侧线性稳压器
  • 集成 LM5008A 降压稳压器
    • 6V 至 95V 工作电压范围
    • 2.5V 至 75V、350mA 输出能力
  • 集成三个电流分流放大器
    • 可调增益(5、10、20、40 V/V)
    • 双向或单向支持
  • 6x、3x、1x 和独立 PWM 模式
    • 支持 120° 有传感器运行
  • 提供 SPI 或硬件接口
  • 低功耗睡眠模式(VVM = 48V 时为 20µA)
  • 集成式保护 特性
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 栅极驱动电源欠压 (GDUV)
    • MOSFET VDS 过流保护 (OCP)
    • MOSFET 击穿保护
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热警告和热关断 (OTW/OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)

DRV835x 系列器件均为高度集成的栅极驱动器,适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机 应用标准。这些 应用 包括 BLDC 电机的场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流控制。该器件型号提供了可选的集成式分流放大器以支持不同的电机控制方案,还提供了降压稳压器,以为栅极驱动器或外部控制器供电。

DRV835x 通过采用智能栅极驱动 (SGD) 架构减少了 MOSFET 压摆率控制和保护电路通常所需要的外部组件数量。SGD 架构还可优化死区时间以防止击穿问题,在通过 MOSFET 压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性,并可通过 VGS 监控器防止栅极短路问题。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生栅极开启事件。

该系列器件支持各种 PWM 控制模式(6x、3x、1x 和独立模式),可简化与外部控制器的连接。这些模式可减少电机驱动器 PWM 控制信号所需的控制器输出数量。该系列器件还包括 1x PWM 模式,因此可通过内部阻塞换向表轻松对 BLDC 电机进行传感器式梯形控制。

DRV835x 系列器件均为高度集成的栅极驱动器,适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机 应用标准。这些 应用 包括 BLDC 电机的场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流控制。该器件型号提供了可选的集成式分流放大器以支持不同的电机控制方案,还提供了降压稳压器,以为栅极驱动器或外部控制器供电。

DRV835x 通过采用智能栅极驱动 (SGD) 架构减少了 MOSFET 压摆率控制和保护电路通常所需要的外部组件数量。SGD 架构还可优化死区时间以防止击穿问题,在通过 MOSFET 压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性,并可通过 VGS 监控器防止栅极短路问题。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生栅极开启事件。

该系列器件支持各种 PWM 控制模式(6x、3x、1x 和独立模式),可简化与外部控制器的连接。这些模式可减少电机驱动器 PWM 控制信号所需的控制器输出数量。该系列器件还包括 1x PWM 模式,因此可通过内部阻塞换向表轻松对 BLDC 电机进行传感器式梯形控制。

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技术文档

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设计和开发

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评估板

DRV8353RH-EVM — DRV8353RH 三相无刷直流智能栅极驱动器评估模块

DRV8353RH-EVM 是基于 DRV8353RH 栅极驱动器和 CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET 的 15A 三相无刷直流驱动级。

该模块具有单独的直流总线和相电压感应以及单独的低侧电流分流放大器,因此该评估模块非常适合无传感器 BLDC 算法。该模块通过集成式 0.35A 降压转换器为 MCU 提供 3.3V 电源。该驱动级具有 IDRIVE 配置和故障引脚,并通过具有特定电阻值的易于配置的硬件接口提供短路、过热、击穿和欠压保护。

用户指南: PDF
评估板

DRV8353RS-EVM — DRV8353RS 三相无刷直流智能栅极驱动器评估模块

The DRV8353RS-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RS gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
计算工具

BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver

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支持的产品和硬件

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产品
BLDC 驱动器
DRV8320 最大 65V 三相智能栅极驱动器 DRV8320R 具有降压稳压器的最大 65V 三相智能栅极驱动器 DRV8323 具有电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器 DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器 DRV8329 具有单个电流检测放大器的 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器 DRV8334 具有精确电流检测功能的 60V、1000mA 至 2000mA 三相栅极驱动器 DRV8340-Q1 汽车类 12V 至 24V 三相智能栅极驱动器 DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器 DRV8350 102V(最大值)三相智能栅极驱动器 DRV8350F 最大 102V 三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器 DRV8350R 具有降压稳压器的 102V(最大值)三相智能栅极驱动器 DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器 DRV8353F 具有 3 个 CSA 的 102V(最大值)三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器 DRV8353M 具有电流分流放大器和扩展温度范围的最大 102V 三相智能栅极驱动器 DRV8353R 具有降压稳压器和电流分流放大器的 102V(最大值)三相智能栅极驱动器
参考设计

TIDA-01629 — 适用于伺服驱动器,并采用智能栅极驱动参考设计的 48V/500W 三相逆变器

对于最高可驱动 60VDC 的紧凑型直流供电驱动器而言,效率、保护和集成度均为重要的设计因素。此参考设计展示了一款三相逆变器,其具有 48V 标称直流输入电压和 10ARMS 输出电流。带有集成降压转换器的 100V 智能三相栅极驱动器 DRV8350R 和带有六个超低栅极电荷的 100V NexFET™ 功率 MOSFET 可实现高效的功率级。通过 DRV8350R 的内部保护特性,可为功率级在电机端子之间及电机端子与地面之间提供过热、过流和短路保护。使用 INA240,实现精密相电流检测。所配接口为 3.3V I/O,用于连接 C2000™ MCU 之类的主机 (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-010056 — 适用于三相 BLDC 驱动器且效率高于 99% 的 54V、1.5kW、70x69mm2 功率级参考设计

此参考设计展示了用于驱动三相无刷直流电机的 1.5kW 功率级,该电机用于由电压高达 63V 的 15 节锂离子电池供电的无线工具。该设计是一款 70mm x 69mm 紧凑型驱动器,无需散热器(利用自然对流)即可在 20kHz 开关频率下提供 25ARMS 的持续电流,从而实现基于传感器的梯形控制。该设计使用配备有经优化的 MOSFET 和 PCB 的智能栅极驱动器来降低 MOSFET 开关损耗和 EMI。该设计展示了具备增强保护功能(包括借助 VDS 监控实现的 MOSFET 过流和击穿保护、栅极保护以及通过压摆率控制和过热保护实现的开关电压尖峰优化)的 MOSFET (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
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VQFN (RGZ) 48 了解详情

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包含信息:
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