DRV5011ADDMRT 已停产

小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器

已停产 custom-reels 定制 可提供定制卷带
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定价

数量 价格
+

其他包装数量 | 包装选项 这些产品完全相同,仅包装类型不同

DRV5011ADDMRR 正在供货 custom-reels 定制 可提供定制卷带
包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R
库存
数量 | 价格 1ku | +

出口管制分类

*仅供参考

  • 美国 ECCN:EAR99

封装信息

封装 | 引脚 X2SON (DMR) | 4
工作温度范围 (°C) -40 to 135
包装数量 | 包装 250 | SMALL T&R

DRV5011 的特性

  • 超小型 X2SON、SOT-23、DSBGA 或 TO-92 封装
  • 高磁性灵敏度:±2mT(典型值)
  • 可靠磁滞:4mT(典型值)
  • 快速感应带宽:30kHz
  • VCC 工作范围:2.5V 至 5.5V
  • 推挽式 CMOS 输出
    • 支持 5mA 拉电流和 20mA 灌电流
  • 工作温度:-40°C 至 +135°C

DRV5011 的说明

DRV5011 器件是一款数字锁存器霍尔效应传感器,专为电机和其他旋转系统而设计。

此器件具有工作电压范围为 2.5V 至 5.5V 的高效低电压架构,采用标准 SOT-23 封装以及薄型 X2SON、DSBGA 和 TO-92 封装。输出端采用推挽驱动器,无需使用上拉电阻器,使系统更加紧凑小巧。

当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出 BRP 阈值,这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出,且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。

器件在 –40°C 至 +135°C 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。 ™

 

 

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DRV5011ADDMRR 正在供货 custom-reels 定制 可提供定制卷带
包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R
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包装方式

您可以根据器件数量选择不同的包装方式,包括完整卷带、定制卷带、剪切带、管装或托盘。

定制卷带是从整盘卷带上剪下来的具有连续长度的剪切带,是一种可以对特定数量提供产品批次及生产日期跟踪的包装方式。根据行业标准,使用黄铜垫片在剪切带两端各连接一个 18 英寸的引带和尾带,以直接送入自动组装机。涉及定制卷带的 TI 订单将包含卷带费用。

剪切带是从整盘卷带上剪下来的特定长度的编带。根据所申请器件数量的不同,TI 可能会使用多条剪切带或多个盒子进行包装。

TI 通常会根据库存情况选择将管装托盘器件以盒装或者管装或托盘形式发货。所有器件均会按照 TI 内部规定的静电放电和湿敏等级保护要求进行包装。

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可提供批次和生产日期代码选项

您可在购物车中添加器件数量以开始结算流程,并查看现有库存中可选择批次或生产日期代码的选项。

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