封装信息
封装 | 引脚 SOIC (D) | 8 |
工作温度范围 (°C) -55 to 150 |
包装数量 | 包装 250 | SMALL T&R |
CSD88537ND 的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用范围
- 用于电机控制的半桥
- 同步降压转换器
CSD88537ND 的说明
这款双路小外形尺寸 (SO)-8,60V,12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。
顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。最大 RθJL = 20°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%