封装信息
封装 | 引脚 PicoStar (YJN) | 3 |
工作温度范围 (°C) -55 to 150 |
包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
CSD25501F3 的特性
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 0.7mm × 0.6mm
- 薄型
- 最大高度为 0.22mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD25501F3 的说明
此 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化,能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。