TIDA-010083

适用于机器视觉摄像机和视觉传感器的高密度隔离式 PoE 和 GigE 参考设计

TIDA-010083

设计文件

概述

以太网供电 (PoE) 提供了简单、可靠的解决方案,可通过单根线缆实现高数据速率、长距离的电力和数据传输。这种同时传输数据和供电的功能使 PoE 适用于机器视觉摄像机和视觉传感器等小型器件。此参考设计使用完整的 PoE 供电设备 (PD),包括 1Gb/s 物理层和外形尺寸极小的 27 x 27mm 高效隔离式电源解决方案。

特性
  • IEEE802.3at PoE 1 类 PD 0 级:13W
  • 具有同步整流功能的反激式器件
    • 无光耦合器的初级侧反馈
    • 5V 输出,精度优于 ±2%
    • 效率高达 92%
  • 额外的 24V 辅助输入
  • 10/100/1000Mbit/s 以太网
  • RGMII 接口
  • 1x 隔离式数字输出
  • 2x 隔离式数字输入
  • 27 x 27mm 的小外形尺寸
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

ZHCU703.PDF (9496 K)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDM244.PDF (2477 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDM245.PDF (63 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDM246.PDF (278 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDM248.ZIP (3250 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCFN5.ZIP (448 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDM247.PDF (1436 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

供电设备

TPS23758具有非光电同步反激式直流/直流控制器的 IEEE 802.3at PoE PD

数据表: PDF
N 沟道 MOSFET

CSD17579Q3A采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD19538Q2采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
TVS 二极管

TVS330033V 平缓钳位浪涌保护器件

数据表: PDF | HTML
以太网 PHY

DP83867IR具有工业级温度范围的耐用型千兆位以太网 PHY 收发器

数据表: PDF | HTML
理想二极管/ORing 控制器

LM74700-Q13.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器

数据表: PDF | HTML
降压转换器(集成开关)

TPS62801采用 0.7mm x 1.05mm 芯片级封装的 1.75V 至 5.5V 输入、1A 超低 IQ 降压转换器

数据表: PDF | HTML
降压转换器(集成开关)

TPS62802采用 0.7mm x 1.05mm 芯片级封装的 1.75V 至 5.5V 输入、1A 超低 IQ 降压转换器

数据表: PDF | HTML
隔离式数字输入

ISO1212用于数字输入模块的双通道隔离式 24V 至 60V 数字输入接收器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
设计指南 适用于机器视觉摄像机和视觉传感器的高密度隔离式 PoE 和 GigE 参考设计 英语版 2019年 10月 16日
模拟设计期刊 A small-footprint PoE solution for machine-vision cameras and sensors 2019年 9月 30日

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