| CMPSS |
CMPSS:在某些情况下,COMPxLATCH 可能无法正确清除 |
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| FPU |
FPU:FPU 至 CPU 寄存器移动操作之前是任何 FPU 2p 操作 |
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| SDFM |
SDFM:动态更改阈值设置(LLT、HLT)、滤波器类型或 COSR 设置将触发虚假比较器事件 |
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| SDFM |
SDFM:动态更改数据滤波器设置(例如滤波器类型或 DOSR)将触发虚假数据响应事件 |
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| SDFM |
SDFM:在三个 SD 调制器时钟周期内对 SDCPARMx 寄存器位字段 CEVT1SEL、CEVT2SEL 和 HZEN 进行两次背对背写入可能会损坏 SDFM 状态机,从而导致虚假比较器事件 |
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| SDFM |
SDFM:Manchester 模式(模式 2)无法在多种条件下生成正确的滤波器结果 |
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| eQEP |
eQEP:索引期间方向变化时位置计数器复位错误 |
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| eQEP |
eQEP:GPIO 异步模式下的 eQEP 输入 |
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| VDD 电源: |
VDD 电源:在 VDDIO 加电期间,VDD 也可能会上升 |
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| eCAP |
eCAP:HRFRC 不受 EALLOW 保护 |
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| PLL |
PLL:: 第一次尝试锁定时,PLL 可能无法锁定 |
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| LPM |
LPM:不支持待机低功耗模式 |
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| DCC |
DCC:单次模式操作可能会过早终止 |
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| BOR |
BOR:2.45V 至 3.0V 之间的 VDDIO 可产生多个 XRSn 脉冲 |
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| I2C |
I2C:SDA 和 SCL 漏极开路输出缓冲器问题 |
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| I2C |
I2C:目标发送器模式、标准模式 SDA 时序限制 |
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| ePWM |
ePWM:如果跳闸在消隐窗口结束时保持活动状态,则可能会发生 ePWM 干扰 |
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| ePWM |
ePWM:在消隐窗口后的前 3 个周期内,消隐窗口不会过滤跳闸事件 |
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| ePWM |
ePWM:选择异步路径后,“基于 DC 事件的 CBC 跳闸”的事件闩锁 (DCxEVTxLAT) 可能不会按预期延长触发脉冲 |
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| ePWM |
ePWM:单次/CBC 跳闸事件 DCxEVTy.force 不设置跳闸条件 |
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| INTOSC |
INTOSC:在没有 VDD 的情况下为 VDDIO 加电会导致 INTOSC 频率漂移 |
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| FSI |
FSI:RX FIFO 伪波超限 |
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| 闪存 |
闪存:在未禁用闪存预取的情况下执行 Fapi_setActiveFlashBank () 可能会导致 ITRAP |
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在 DCAN FIFO 模式期间,接收到的消息可能以无序状态显示在 FIFO 缓冲器中 |
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| 引导 ROM |
引导 ROM:从应用程序调用 SCI 引导加载程序 |
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| Boot ROM、MPOST |
Boot-ROM、MPOST:启用 MPOST 时引导时间更长 |
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| 内存 |
存储器:在有效存储器之外进行预取 |
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| 系统 |
系统:系统控制寄存器配置限制 |
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| ADC |
ADC:如果未设置 INTxCONT(继续中断模式),中断可能会停止 |
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| ADC |
ADC:使用 ADCCLK 小数分频器时 ADC 性能下降 |
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| ADC |
ADC:DMA 读取过时结果 |
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| CLB |
CLB: 不支持涉及多个有效高级控制器 (HLC) 通道的背对背 PUSH 或 PULL 指令 |
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| 模拟子系统 |
模拟子系统:共享基准引脚的软件配置 |
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某些 TMX 器件的模拟修整 |
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| PGA |
PGA:不支持输出滤波器路径 |
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| ROM |
ROM:不存在闪存 API 库和 FPU32 Twiddle Factor RFFT 表 |
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| REVID |
REVID:某些 TMX 修订版本 A 器件的 REVID 值不正确 |
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| GPIO |
GPIO:加电期间的 X2/GPIO18 引脚上拉电流 |
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| GPIO |
GPIO:漏极开路配置可以驱动短高电平脉冲 |
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| GPIO |
GPIO:在输入模式下超过最大 VIH 时,VSS 的寄生路径 |
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| GPIO |
GPIO:引脚在加电期间可以驱动为高电平 |
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| GPIO |
GPIO:信号闩锁至 VSS |
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| LIN |
LIN:当同步字段错误时,同步字段错误 (ISFE) 标志/中断未设置 |
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| XTAL |
XTAL:不支持 XTALCR[SWH]=0 |
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