ZHDA073 March 2026 LM2776
图 4-4 TIDM-1000 3 相 Vienna PFC 整流器在 800V 直流架构中,3 相 Vienna PFC 拓扑广泛应用于 PFC 级(请参阅图 4-4),因为这种拓扑将功率器件上的电压应力降至直流链路电压的一半,因此可使用成熟的 650V MOSFET,并且与两级转换器相比,开关损耗更低 [请参阅参考文献 7 和 12]。
图 4-5 一个 BDG 等同四个背对背 Si MOSFET在 Vienna PFC 电路中,电源开关与背对背配置串联使用,以在两个方向上处理交流电。但是,双向 GaN (BDG) 是真正的常关 单片双向开关,可以直接在两个方向上处理电流,因此 BDG 可以等于四个具有相同导通电阻的 Si 或 SiC MOSFET,如图 4-5 所示。这一创新具有巨大的潜力,但需要进一步的市场验证。TIDA-01606 参考设计演示了 BDG 在 T 型转换器中的应用,并提供支持此应用潜力的初步数据 [请参阅参考文献 3]。