ZHCZ053A December   2024  – October 2025 AM62D-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3. 1使用说明和公告模型
    1. 1.1 支持的器件
  4. 2器件使用说明和公告
    1. 2.1 器件使用说明
      1.      i2351
      2.      i2330
      3.      i2372
    2. 2.2 器件公告
      1.      i2049
      2.      i2062
      3.      i2087
      4.      i2134
      5.      i2189
      6.      i2196
      7.      i2199
      8.      i2208
      9.      i2249
      10.      i2278
      11.      i2279
      12.      i2310
      13.      i2311
      14.      i2312
      15.      i2366
      16.      i2371
      17.      i2120
      18.      i2137
      19.      i2253
      20.      i2383
      21.      i2401
      22.      i2407
      23.      i2409
      24.      i2410
      25.      i2376
      26.      i2399
      27.      i2413
      28.      i2414
      29.      i2417
      30.      i2419
      31.      i2420
      32.      i2421
      33.      i2422
      34.      i2423
      35.      i2431
      36.      i2435
      37.      i2160
      38.      i2436
      39.      i2482
      40.      i2464
      41.      i2487
      42.      i2493
  5.   商标
  6.   修订历史记录

i2493

MMCSD：HS200 写入失败

详细信息：

当 MMC0 接口在 HS200 模式下执行多块写入操作且 IO 电源噪声过大时，可能会出现写入失败的情况。

为最大限度降低 IO 电源噪声，请遵循以下最佳实践并参阅链接的应用手册：

  • 在接地层附近使用宽电源平面/覆铜，并在两者之间采用较薄的电介质。
  • 使电源平面/覆铜和相邻的接地平面尽可能靠近供电元件表面。
  • 使用各种容值的去耦电容器，并将低 ESL 电容器放置在尽可能靠近去耦器件的位置。
  • 每个电源引脚配置一个去耦电容器。
  • 使用短而宽的布线去耦电容器和电源/接地过孔。
  • Sitara™ 处理器配电网络：实施与分析

权变措施：

实现软件恢复机制，对失败的多块写入操作进行重发，块与块之间至少保持 5μs 的延迟以降低噪声。实现此延迟的一种方法是，将失败的多块写入操作改为单块写入操作。