详细信息：

如果存储器在 RAM 读取数据期间由于读取或部分写入事务遇到一个 single-bit 错误，则 RAM 将进入一种状态，如果下一个“存储器读取”是由后续的部分写入事务导致的，则可能会导致稍后向 RAM 进行虚假写入。相反，如果“存储器读取”是由实际的存储器读取事务导致的，则将清除挂起的不良内部状态，并且以后不可能发生虚假写入。虚假写入是指在触发虚假写入的部分写入事务之前写入的最后一个存储器地址。此问题仅适用于 MBOX & L2。

为更加清晰起见，图 2-1列出了问题适用（例如 1、2 和 3）和不适用（例如 4、5 和 6）的可能情形。Transaction# 仅用于说明，并不一定表示每次操作发生的确切周期。[SEC–单位错误校正、DED–双位错误检测]

权变措施：

以下选项之一可用作权变措施。

选项 1：

禁用 ECC，仅适用于非安全应用。

选项 2：

不允许对存储器进行部分写入（仅执行全行写入）

对于 L2，如果 L2 空间可缓存，则内核将仅执行完整行写入，因此此问题不适用。

选项 3：

应用程序可以像 DED 一样处理所有 SEC 错误（即使在 single-bit 错误的情况下也仅检测纠正错误），因为如果应用无法在读取或部分写入事务发生 single-bit 错误后立即控制事务，则可能会损坏 RAM 数据。