DRV81545、DRV81646 和 DRV81646DGQ 系列器件包含具备以下特性的低侧开关:
- DRV81545:55V/2A 四通道低侧开关具备集成型环流二极管、可配置的电流限制、可配置的过流切断持续时间,以及独立的过热和过流保护。
- DRV81646:65V/4A 四通道低侧开关具备集成型环流二极管、可配置的电流限制、可配置的过流切断持续时间,以及独立的过热和过流保护。该器件还提供转换率配置并支持高达 10ms 的浪涌电流时间,适用于电容负载。此外,每个 MOSFET 的源极端子都可从外部使用,从而实现可选的电流检测。
- DRV81646DGQ:65V/3A 四通道低侧开关具备集成型环流二极管、可配置的电流限制、可配置的过流切断持续时间,以及独立的过热和过流保护。该器件还提供转换率配置并支持高达 10ms 的浪涌电流时间,适用于电容负载。此外,每个 MOSFET 的源极端子都可从外部使用,从而实现可选的电流检测。
本文档随 DRV81545、DRV81646 和 DRV81646DGQ 评估模块 (EVM) 提供,作为 DRV81545、DRV81646 和 DRV81646DGQ 数据表的补充。本用户指南包括 EVM 硬件设置说明、GUI 安装和使用说明。