ZHCUDD2 October   2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
      1. 1.1.1 通用 TI 高压评估用户安全指南
        1. 1.1.1.1 安全性和预防措施
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 GaN 功率级
      2. 2.2.2 电感器
      3. 2.2.3 控制器
      4. 2.2.4 冷却
        1. 2.2.4.1 散热器放置
        2. 2.2.4.2 过孔的放置
        3. 2.2.4.3 铜块
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 LMG3100R017
      2. 2.3.2 UCD3138A
      3. 2.3.3 TPSM365R6V5
      4. 2.3.4 TMP61
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 软件要求
    3. 3.3 测试设置
    4. 3.4 测试结果
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
      3. 4.1.3 PCB 布局建议
        1. 4.1.3.1 电源环路优化
        2. 4.1.3.2 流经输出功率接地端的返回电流
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5作者简介

2.2.1 GaN 功率级

由于集成了 FET + 驱动器以及具备更高的开关能力（可缩小无源器件的尺寸），TI GaN 功率级在追求紧凑尺寸的模块领域中发挥着至关重要的作用。为提供高达 2kW 的功率并在中等负载下达到 98.1% 以上的效率，可考虑采用 1.7mΩ RDS(on) 的四相交错并联设计。LMG3100 在同一封装中提供不同的 RDS(on) 规格，便于在不同的负载和频率条件下调整效率。