ZHCUDD2 October 2025
为了通过顶部 GaN 裸片实现良好冷却,应尽可能缩短 GaN 裸片与散热器之间的距离。为此,靠近 LMG3100R017 的元件必须具有与 LMG3100R017 相当的高度,以便尽可能减小热界面材料 (TIM) 的厚度。只要元件高度超过 LMG3100R017 的高度,就应在散热器上添加一道凹槽,以补偿这一高度差。