ZHCUDD2 October 2025
此参考设计使用了一款小型 GaN 场效应晶体管 (FET) LMG3100R017 来实现三相逆变器。LMG3100R017 在 6.5mm × 4mm QFN 封装内集成了驱动器和 80V GaN FET。该封装经过优化,可实现极低的栅极环路和电源环路阻抗。PCB 为散热器提供了安装孔,可用于顶面冷却式 LMG3100R017 GaN FET 电源模块。集成的自举二极管有助于缩小高侧 GaN FET 偏置电源的占用空间。
该控制系统采用德州仪器 (TI)的数字电源控制器 UCD3138A。UCD3138A 在一个单芯片解决方案中实现了高度集成和优异性能。UCD3138A 采用 PMBus 通信,可轻松进行固件升级和报告。该设计通过双向电流检测放大器 INA241 监测各相输入电流。5V 辅助电源使用集成降压模块 TPSM365R6,后跟一个低压降 (LDO) 线性稳压器来生成 3.3V 电源轨。