ZHCUDD2 October   2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
      1. 1.1.1 通用 TI 高压评估用户安全指南
        1. 1.1.1.1 安全性和预防措施
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 GaN 功率级
      2. 2.2.2 电感器
      3. 2.2.3 控制器
      4. 2.2.4 冷却
        1. 2.2.4.1 散热器放置
        2. 2.2.4.2 过孔的放置
        3. 2.2.4.3 铜块
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 LMG3100R017
      2. 2.3.2 UCD3138A
      3. 2.3.3 TPSM365R6V5
      4. 2.3.4 TMP61
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 软件要求
    3. 3.3 测试设置
    4. 3.4 测试结果
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
      3. 4.1.3 PCB 布局建议
        1. 4.1.3.1 电源环路优化
        2. 4.1.3.2 流经输出功率接地端的返回电流
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5作者简介

2.3.1 LMG3100R017

LMG3100 器件是一款配有集成驱动器的 100V、97A 氮化镓 (GaN) FET。该器件包含一个由高频 GaN-FET 驱动器驱动的 100V GaN FET。表 2-1 详细说明了此设计的主要特性和优势。

表 2-1 TIDA-050089 中 LMG3100R017 的主要特性和优势
特性 优势
集成 1.7mΩ、90V GaN FET，可实现 97A 运行 低 RDS(on) 可降低 SR FET 的导通损耗
集成了 GaN FET 和 GaN 驱动器 最小化封装寄生元件可实现超快速开关，从而降低开关损耗。
能够在四分之一砖型尺寸内实现紧凑设计
LMG3100 包含高侧电平转换器和自举电路 两个 LMG3100 器件能用于形成半桥，而无需额外的电平转换器和自举二极管
单个 5V 栅极驱动器电源配有自举电压钳位和欠压锁定功能 轻松进行电源管理。UVLO 可在栅极驱动器欠压的情况下同时关断高侧和低侧 GaN FET。
LMG3100 优化的引脚排列 使用最小电感简化 PCB 布局，从而降低开关损耗
顶部有两个外露 GaN 裸片（SW 和 PGND） 获得更低的顶部热阻。支持双面散热，便于热设计
LMG3100 在同一封装中提供不同的 RDS (on) 型号 在中负载和满负载条件下进行效率调优时，便于更换器件