ZHCUD86 August   2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 TPS6521905-Q1
      2. 2.3.2 LM74900-Q1
      3. 2.3.3 LMQ66430-Q1
      4. 2.3.4 TPS22995H-Q1
      5. 2.3.5 TPS51200A-Q1
      6. 2.3.6 TPS7B4255-Q1
      7. 2.3.7 MSPM0L1306-Q1
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 软件要求
    3. 3.3 测试设置
    4. 3.4 测试结果
      1. 3.4.1 LMQ66430-Q1
      2. 3.4.2 TPS65219-Q1
    5. 3.5 快速入门指南
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标

2.3.2 LM74900-Q1

TIDA-050071 LM74900-Q1 功能方框图图 2-3 LM74900-Q1 功能方框图

LM74900-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而仿真具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受低至 –65V 的负电源电压并保护负载免受这些电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM74900-Q1 的最大额定电压为 65V。