ZHCUCQ7A January   2025  – July 2025 F29H850TU , F29H859TU-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
    1. 1.1 与 C28x 的区别
    2. 1.2 函数清单格式
  5. 2F29H85x 闪存 API 概述
    1. 2.1 简介
    2. 2.2 API 概述
    3. 2.3 使用 API
      1. 2.3.1 初始化流程
        1. 2.3.1.1 器件上电后
        2. 2.3.1.2 关于系统频率变化
      2. 2.3.2 使用 API 进行构建
        1. 2.3.2.1 目标库文件
        2. 2.3.2.2 分布文件
      3. 2.3.3 闪存 API 使用的关键事实
  6. 3API 函数
    1. 3.1 初始化函数
      1. 3.1.1 Fapi_initializeAPI()
    2. 3.2 闪存状态机函数
      1. 3.2.1  Fapi_setActiveFlashBank()
      2. 3.2.2  Fapi_setupBankSectorEnable()
      3. 3.2.3  Fapi_issueAsyncCommandWithAddress()
      4. 3.2.4  Fapi_issueBankEraseCommand()
      5. 3.2.5  Fapi_issueProgrammingCommand()
      6. 3.2.6  Fapi_issueAutoEcc512ProgrammingCommand()
      7. 3.2.7  Fapi_issueDataAndEcc512ProgrammingCommand()
      8. 3.2.8  Fapi_issueDataOnly512ProgrammingCommand()
      9. 3.2.9  Fapi_issueEccOnly64ProgrammingCommand()
      10. 3.2.10 Fapi_issueAsyncCommand()
      11. 3.2.11 Fapi_checkFsmForReady()
      12. 3.2.12 Fapi_getFsmStatus()
    3. 3.3 读取函数
      1. 3.3.1 Fapi_doBlankCheck()
      2. 3.3.2 Fapi_doVerify()
      3. 3.3.3 Fapi_doVerifyByByte()
    4. 3.4 信息函数
      1. 3.4.1 Fapi_getLibraryInfo()
    5. 3.5 实用功能
      1. 3.5.1 Fapi_flushPipeline()
      2. 3.5.2 Fapi_calculateEcc()
      3. 3.5.3 Fapi_isAddressEcc()
      4. 3.5.4 Fapi_getUserConfiguration()
      5. 3.5.5 Fapi_setFlashCPUConfiguration()
      6. 3.5.6 Fapi_issueProgBankMode()
  7. 4使用闪存 API 对 SECCFG 和 BANKMGMT 编程
    1. 4.1 BANKMGMT 编程
    2. 4.2 SECCFG 编程
  8. 5所有模式允许的编程范围
  9. 6推荐的 FSM 流程
    1. 6.1 新出厂器件
    2. 6.2 推荐的擦除流程
    3. 6.3 推荐的存储组擦除流程
    4. 6.4 推荐的编程流程
  10. 7参考资料
  11.   A 闪存状态机命令
  12.   B typedef、定义、枚举和结构
    1.     B.1 类型定义
    2.     B.2 定义
    3.     B.3 枚举
      1.      B.3.1 Fapi_FlashProgrammingCommandsType
      2.      B.3.2 Fapi_FlashBankType
      3.      B.3.3 Fapi_FlashStateCommandsType
      4.      B.3.4 Fapi_StatusType
      5.      B.3.5 Fapi_ApiProductionStatusType
      6.      B.3.6 Fapi_BankID
      7.      B.3.7 Fapi_FLCID
      8.      B.3.8 Fapi_BankMode
      9.      B.3.9 Fapi_CPU1BankSwap
      10.      B.3.10 Fapi_CPU3BankSwap
      11.      B.3.11 Fapi_FOTAStatus
      12.      B.3.12 Fapi_SECVALID
      13.      B.3.13 Fapi_BankMgmtAddress
    4.     B.4 结构
      1.      B.4.1 Fapi_FlashStatusWordType
      2.      B.4.2 Fapi_LibraryInfoType
  13.   修订历史记录

3.2.9 Fapi_issueEccOnly64ProgrammingCommand()

设置使用用户提供的 ECC 数据进行 64 位（8 个字节）编程的闪存状态机寄存器，并向有效闪存、BANKMGMT 和 SECCFG 内存发出编程命令。

概要

Fapi_StatusType Fapi_issueEccOnly64ProgrammingCommand(
                                       uint32_t *pu32StartAddress,
                                       uint8_t *pu8EccBuffer,
                                       uint8_t  u8EccBufferSizeInBytes,
                                       uint32_t u32UserFlashConfig,
                                       uint8_t  u8Iterator
                                       );

参数

pu32StartAddress [in] 用于对提供的 ECC 数据进行编程的 512 位对齐闪存地址。
pu8EccBuffer [in] 指向 ECC 缓冲区地址的指针
u8EccBufferSizeInBytes [in] ECC 缓冲区中的字节数。最大 Eccbuffer 大小（以字节为单位）不应超过 16。
u32UserFlashConfig 用户闪存配置。
u8Iterator 用于对交错组执行编程和擦除操作的迭代器
0：数据闪存/非交错
1：B0 或 B2（取决于提供的地址）
2：B1 或 B3（取决于提供的地址）

说明

此函数仅在指定的地址处（可能为该函数提供闪存主阵列地址，而不是相应的 ECC 地址）对闪存 ECC 存储空间中的 ECC 部分进行编程。它可以在与用户提供的 512 位对齐闪存地址相对应的 ECC 地址处对 64 位 ECC 数据（第二个参数）进行编程。64 位 ECC 数据可以拆分为与 512 位对齐数据相关的 8 字节 ECC 数据（4 × 128，每 2 字节对应每 128 个数据）。

有关更多信息，请参阅 表 3-6。

表 3-6 64 位 ECC 数据解释
512 位数据（4 * 128 位）
1st（128 位数据） 2nd（128 位数据） 3rd（128 位数据） 4th（128 位数据）
pu8EccBuffer[0] 的 LSB pu8EccBuffer[1] 的 LSB pu8EccBuffer[2] 的 LSB pu8EccBuffer[3] 的 LSB
pu8EccBuffer[0] 的 MSB pu8EccBuffer[1] 的 MSB pu8EccBuffer[2] 的 MSB pu8EccBuffer[3] 的 MSB

有关该函数允许的编程范围，请参阅表 3-7。

表 3-7 Fapi_issueEccOnly64ProgrammingCommand() 的允许编程范围
闪存 API 主阵列 ECC BANKMGMT 和 SECCFG
Fapi_issueEccOnly64Prog rammingCommand() 不允许 允许 不允许

限制

  • 如上所述，该函数一次最多只能对 64 位 ECC 进行编程。如果用户需要编程更多位，可以循环调用该函数，每次编程 64 位。
  • 主阵列闪存编程必须与 512 位地址边界对齐，并且 64 位 ECC 字在每个写入或擦除周期只能编程一次。
  • 不能针对 BANKMGMT 或 SECCFG 位置对 ECC 进行编程。以 BANKMGMT 或 SECCFG 地址开头的 512 位地址范围应始终使用 128 位 Fapi_issueProgrammingCommand() 进行编程。

返回值

  • Fapi_Status_Success（成功）
  • Fapi_Status_FsmBusy（FSM 处于繁忙状态）
  • Fapi_Error_AsyncDataEccBufferLengthMismatch（失败：数据缓冲区大小不是 64 位对齐的，或者数据长度跨越了 128 位对齐的存储器边界。）
  • Fapi_Error_FlashRegsNotWritable（失败：闪存寄存器写入失败。用户可确保使用正确的 CPU 执行 API。）
  • Fapi_Error_FeatureNotAvailable（失败：用户传递了不受支持的模式。）
  • Fapi_Error_InvalidAddress（失败：用户提供的地址无效。有关有效地址范围的信息，请参阅 F29H85x 和 F29P58x 实时微控制器数据表。）

实现示例

（有关更多信息，请参阅 F29H85x SDK 中提供的闪存编程示例“f29h85x-sdk > examples > driverlib > single_core > flash > flash_mode0_512_program”）