ZHCUCN5A December   2024  – January 2026

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 冗余输入电源
      2. 2.2.2 以太网环形拓扑
      3. 2.2.3 音频视频桥接 (AVB)
      4. 2.2.4 低功耗模式和唤醒
      5. 2.2.5 跛行回家模式
      6. 2.2.6 SPI 菊花链
      7. 2.2.7 重置聚合
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1  AM263P4-Q1
      2. 2.3.2  DP83TG721S-Q1
      3. 2.3.3  DP83TD555J-Q1
      4. 2.3.4  TPS653860-Q1
      5. 2.3.5  TPS2HCS10-Q1
      6. 2.3.6  TPS2HCS05-Q1
      7. 2.3.7  DRV8245S-Q1
      8. 2.3.8  TIC12400-Q1
      9. 2.3.9  LM74900-Q1
      10. 2.3.10 LM74703-Q1
      11. 2.3.11 INA186-Q1
      12. 2.3.12 TPS7B81-Q1
      13. 2.3.13 TPS3762-Q1
      14. 2.3.14 TPS62903-Q1
      15. 2.3.15 TPS62902-Q1
      16. 2.3.16 TPS7B4256-Q1
      17. 2.3.17 TPS1211-Q1
      18. 2.3.18 TPS1HC30-Q1
      19. 2.3.19 TPS4HC120-Q1
      20. 2.3.20 TPS2HC08-Q1
      21. 2.3.21 TPS1HC04-Q1
      22. 2.3.22 DRV8714S-Q1
      23. 2.3.23 DRV8145S-Q1
      24. 2.3.24 DRV81602-Q1
      25. 2.3.25 TPS1214-Q1
      26. 2.3.26 TCAN1043A-Q1
      27. 2.3.27 TCAN1044-Q1
      28. 2.3.28 TCAN1046V-Q1
      29. 2.3.29 SN3257-Q1
      30. 2.3.30 TLIN1021A-Q1
      31. 2.3.31 TLIN1024A-Q1
      32. 2.3.32 TAS6754-Q1
      33. 2.3.33 TMUX1308-Q1
      34. 2.3.34 TPLD1201-Q1
      35. 2.3.35 SN74CBTLV3861-Q1
      36. 2.3.36 TXE8124-Q1
      37. 2.3.37 TCAL9539-Q1
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 软件要求
    3. 3.3 测试设置
    4. 3.4 测试结果
      1. 3.4.1 冗余输入电源
      2. 3.4.2 电源序列
      3. 3.4.3 重置聚合
      4. 3.4.4 低功耗模式测试
        1. 3.4.4.1 低功耗模式静态电流
        2. 3.4.4.2 唤醒测量结果
        3. 3.4.4.3 CAN 唤醒
        4. 3.4.4.4 LIN 唤醒
        5. 3.4.4.5 高侧开关控制器唤醒
        6. 3.4.4.6 智能电子保险丝唤醒
        7. 3.4.4.7 高侧开关唤醒
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 布局
      3. 4.1.3 BOM
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5作者简介
  12. 6修订历史记录

2.3.9 LM74900-Q1

LM74900-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而仿真具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。