ZHCUCN5 December 2024
该设计采用两个适用于冗余 12V 输入的理想二极管:LM74704-Q1 和 LM74900-Q1。LM74704-Q1 驱动外部 N 沟道 MOSFET 以调节正向压降,并在检测到反向电流事件时关断 MOSFET。LM74900-Q1 的行为类似,但驱动的是背对背 N 沟道 MOSFET 以模拟理想二极管整流器,并具有集成电流检测功能。第一个 MOSFET 提供反向输入保护和输出电压保持,第二个 MOSFET 允许在发生过流或过压事件时断开负载。在我们的系统中,由 LM74704-Q1 驱动的 N 沟道 MOSFET 的漏极连接到由 LM74900-Q1 驱动的第一个 N 沟道 MOSFET 的漏极,以生成 12V 常开电源轨。LM74900-Q1 的第二个 MOSFET 为负载驱动器提供电源,以便在发生过流或过压时断开负载,并在低功耗状态期间断开电源以降低静态电流。