ZHCUC75 August 2024 LMG2100R026
LMG2100R026 器件是一款 90V 连续 100V 脉冲式 53A 半桥功率级,具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 100V GaN FET,它们采用半桥配置并由一个高频 90V GaN FET 驱动器驱动。该器件配有用户友好型接口且更为出色,进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。这为高频、高功率密度和高效的电源转换提供了出色的选择。
LMG2100R026 采用 7mm x 4.5mm x 0.89mm 无铅 QFN 封装,顶部有裸露芯片用于进行冷却。该器件的电源引脚经过优化,可轻松实现 PCB 布局,从而实现更小的电源环路。该器件支持适用于栅极信号的 3.3V 和 5V 输入逻辑电平。